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杨卓

作品数：36 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇冶金工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 25篇晶体管
  • 18篇双极型
  • 17篇双极型晶体管
  • 15篇绝缘栅
  • 14篇绝缘栅双极型...
  • 12篇半导体
  • 11篇金属
  • 10篇多晶
  • 10篇多晶硅
  • 10篇氧化层
  • 9篇多晶硅栅
  • 9篇栅氧化
  • 9篇栅氧化层
  • 9篇硅栅
  • 8篇重掺杂
  • 7篇氧化物半导体
  • 7篇功率半导体
  • 6篇外延层
  • 6篇硅外延
  • 6篇硅外延层

机构

  • 36篇东南大学

作者

  • 36篇杨卓
  • 32篇孙伟锋
  • 32篇时龙兴
  • 32篇陆生礼
  • 30篇祝靖
  • 7篇宋慧滨
  • 4篇郭超
  • 4篇徐申
  • 4篇钟锐
  • 4篇钱钦松
  • 4篇陈健
  • 4篇周锦程
  • 3篇张龙
  • 2篇倪海涛
  • 2篇李筱媛
  • 2篇刘斯扬
  • 2篇孙华芳
  • 2篇喻慧
  • 2篇戴伟楠
  • 2篇黄智

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 11篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2005
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘栅双极型晶体管的关断性能提升方法
一种绝缘栅双极型晶体管结构，包括集电极金属、P型集电区、N型基极区，N型基极区表面有N型载流子存储层及沟槽柵，沟槽柵将N型载流子存储层分割成条状，条状N型载流子存储层表面存在均匀分布的块状P型体区，块状载流子存储层上设有...
祝靖周锦程杨卓孙伟锋宋慧滨陆生礼时龙兴
文献传递
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型...
钱钦松祝靖张龙杨卓孙伟锋陆生礼时龙兴
一种高效环保回收金的浸金剂及制备方法和用途
本发明公开了高效环保回收金的浸金剂及制备方法和用途，该浸金剂成分为可溶于水含酰亚胺基卤素有机物，将可溶于水的含酰亚胺基卤素有机物加入到水溶液中，搅拌溶解。该浸金剂主要应用于含金物料中金的浸出及回收，在较低时间和常温条件下...
黄瑛葛飞熊振峰杨卓
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型...
钱钦松祝靖张龙杨卓孙伟锋陆生礼时龙兴
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一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法
一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属...
祝靖孙轶杨卓孙伟锋陆生礼时龙兴
一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件
一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型...
祝靖卞方娟杨卓吴汪然宋慧滨孙伟锋陆生礼时龙兴
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一种逆导型双栅绝缘栅双极型晶体管
本发明提供能够改善逆导型绝缘栅双极型晶体管电流回跳现象，并且提高关断速率，改善耐压的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区包含对角设置的第一N型漂移区与第一P型漂移区，以及对角设置的第二N...
孙伟锋杜益成杨卓祝靖徐申陆生礼时龙兴
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一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型...
钱钦松祝靖张龙杨卓孙伟锋陆生礼时龙兴
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一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体结构
一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底上方设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区中设有P型重掺杂半导体接触区和N...
孙伟锋杨卓倪海涛祝靖徐申钟锐陆生礼时龙兴
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一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法
一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极，N型漏极上设有N型外延层，再设第一、二条形P型体区、第一P型体区，在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区，在沟槽栅的上端设有...
祝靖卞方娟杨卓黄智孙伟锋陆生礼时龙兴
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