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潘鹏

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:天津理工学院更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇优化设计
  • 2篇力传感器
  • 2篇金刚石
  • 2篇感器
  • 2篇刚石
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇掩膜
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇三氧化二硼
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇天津理工学院
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 3篇常明
  • 3篇潘鹏
  • 2篇孙伟
  • 2篇李燕
  • 1篇孙以才
  • 1篇杨保和
  • 1篇曲长庆
  • 1篇杨保

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇第八届敏感元...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
金刚石膜压力传感器的优化设计(Ⅱ)
2003年
金刚石膜压力传感器是在本征金刚石膜片上沉积4个掺杂金刚石膜压敏电阻,4个压敏电阻所在部位的膜厚度是压敏电阻和本征金刚石膜片厚度相加,它不同于利用扩散掺杂工艺形成的硅压力传感器,后者的4个掺杂压敏电阻和本征硅组成一个均匀的平面。我们发现,压敏电阻的形状对承载膜应力、应变分布及承压强度至关重要,提出了电阻条圆角设计方案,从而优化了电阻条形状及长、宽、厚尺寸设计,获得了具有高承压强度、输出稳定性好的金刚石膜压力传感器。
杨保和孙以才孙伟李燕潘鹏常明
关键词:压力传感器压敏电阻
金刚石薄膜研究
本文主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长。采用热灯丝CVD 法在硅上制备了金刚石薄膜,采用三氧化二硼制备了硼掺杂金刚石膜。利用拉曼光谱分析了硼掺杂金刚石膜的生长情况。发现硼掺杂金刚石膜在硅衬底上的生长速度明显低于纯金刚石,并且晶...
潘鹏李燕常明
关键词:金刚石薄膜硼掺杂三氧化二硼薄膜生长
文献传递
金刚石压敏电阻压力传感器有限元分析
介绍用硅方膜作基底,掺硼刻蚀金刚石压敏电阻的方法制作压力传感器,而掺硼压敏电阻与硅基底的电绝缘,由一层未掺杂的金刚石薄膜获得.纵向排列的压敏电阻连接成惠斯顿电桥,传感器的桥电压与压力之间显示极好的线性关系.
孙伟曲长庆潘鹏杨保常明
关键词:有限元压敏电阻优化设计压力传感器
文献传递
共1页<1>
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