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李燕

作品数:4 被引量:8H指数:2
供职机构:天津理工学院更多>>
发文基金:天津市自然科学基金天津市教委科研基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇力传感器
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇掩膜
  • 1篇优化设计
  • 1篇元理论
  • 1篇三氧化二硼
  • 1篇硼掺杂
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇晶格匹配
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法

机构

  • 4篇天津理工学院
  • 2篇河北工业大学

作者

  • 4篇李燕
  • 3篇常明
  • 3篇杨保和
  • 2篇孙以才
  • 2篇孙伟
  • 2篇潘鹏
  • 1篇熊英
  • 1篇陈希明

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 2篇2004
  • 2篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
金刚石膜压力传感器的优化设计(Ⅱ)
2003年
金刚石膜压力传感器是在本征金刚石膜片上沉积4个掺杂金刚石膜压敏电阻,4个压敏电阻所在部位的膜厚度是压敏电阻和本征金刚石膜片厚度相加,它不同于利用扩散掺杂工艺形成的硅压力传感器,后者的4个掺杂压敏电阻和本征硅组成一个均匀的平面。我们发现,压敏电阻的形状对承载膜应力、应变分布及承压强度至关重要,提出了电阻条圆角设计方案,从而优化了电阻条形状及长、宽、厚尺寸设计,获得了具有高承压强度、输出稳定性好的金刚石膜压力传感器。
杨保和孙以才孙伟李燕潘鹏常明
关键词:压力传感器压敏电阻
金刚石薄膜研究
本文主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长。采用热灯丝CVD 法在硅上制备了金刚石薄膜,采用三氧化二硼制备了硼掺杂金刚石膜。利用拉曼光谱分析了硼掺杂金刚石膜的生长情况。发现硼掺杂金刚石膜在硅衬底上的生长速度明显低于纯金刚石,并且晶...
潘鹏李燕常明
关键词:金刚石薄膜硼掺杂三氧化二硼薄膜生长
文献传递
金刚石膜压力传感器的优化设计(Ⅰ)被引量:2
2003年
探讨了一种新型金刚石膜压力传感器的优化设计方法,采用了计算机辅助设计,用数值计算中的有限元理论和ANSYS程序,模拟传感器承载金刚石膜的应力场分布,确定了掺硼金刚石压敏电阻条的尺寸、最佳位置和排列方式。结果证明,按该设计研制的金刚石膜压力传感器输出信号达到了较高灵敏度和较好的稳定性。
杨保和孙伟孙以才李燕常明
关键词:金刚石膜压力传感器计算机辅助设计ANSYS程序压敏电阻
溅射法生长高度取向ZnO的实验研究被引量:6
2004年
采用直流磁控反应溅射法,在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜,并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究。结果表明N型(100)Si衬底上,ZnO(002)取向度最高,分析认为是由于N型(100)Si与ZnO(002)晶格匹配度高所致。
李燕陈希明熊英杨保和
关键词:溅射ZNOPL谱晶格匹配
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