牛南辉
- 作品数：24 被引量：66H指数：5
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究被引量：23
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积
- 等离子体处理对GaN发光二极管性能影响
- 2008年
- 为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N_2O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N_2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH_3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.
- 达小丽沈光地刘建平牛南辉朱彦旭梁庭邹德恕郭霞
- 关键词：光电子半导体材料发光二极管
- 基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究被引量：2
- 2005年
- 用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布。采用波长248 nm的KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,实验结果与有限元数值模拟结果一致。分析了影响GaN材料温度场分布的因素,在激光光源一定的条件下,温度随时间和深度变化较快。在实现激光剥离时,脉冲激光的能量密度应不低于阈值条件,但为了避免温度过高对器件产生损伤,脉冲激光的能量密度存在上限。多脉冲激光辐照时,脉冲频率是另一关键参量,计算得到了不同能量密度的脉冲激光辐照时频率的选取范围。
- 王婷郭霞刘斌牛南辉郭伟玲沈光地
- 关键词：光电子学激光剥离温度场有限元GAN材料
- 蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢艳辉李彤张念国韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓蓝宝石衬底MOCVD
- MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用
- 2004年
- 使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。
- 俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- GaN基发光管材料的MOCVD生长研究
- 本文主要研究了GaN基LED的MOCVD材料生长与性质，主要内容如下：
1．研究了缓冲层的作用机理以及高温生长初始阶段生长Ⅴ/Ⅲ比、生长压力、等参数对GaN表面形貌、晶体质量、光学质量以及电学质量的影响。利用E...
- 牛南辉
- 关键词：金属有机化合物气相淀积P型掺杂
- 文献传递
- GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
- 2008年
- 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域.
- 王俊忠吉元田彦宝牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地
- 关键词：GAN外延层
- In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/GaAs组分x和y间约束关系及应用
- 2004年
- 计算出与 GaAs 衬底相匹配的In GaxAsyP1-y 组分 x 和 y 的约束关系,并加以验证;用约束关系 1-x简化带隙与组分x 和 y 函数关系,使之变为单变量y的函数,并给出晶格常数、带隙与组分关系的三维图,并长出材料加以证实。
- 王建峰牛南辉盖红星李冰韩军徐遵图沈光地
- 关键词：单变量三维图
- 镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响被引量：2
- 2006年
- 利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差。将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20mA的注入电流下,输出功率为6.5mW,正向压降3V,反向击穿电压为20V。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积
- 激光剥离技术中GaN材料温度场的研究
- 2005年
- 对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。
- 王婷郭霞郭伟玲牛南辉沈光地
- 关键词：温度场脉冲激光GAN
