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王金飞

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市教委基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇载流子
  • 7篇载流子迁移率
  • 7篇太阳光
  • 7篇太阳光谱
  • 7篇迁移率
  • 7篇抗辐射
  • 7篇光谱
  • 4篇带隙
  • 4篇铟
  • 4篇镓
  • 4篇衬底
  • 3篇铟镓氮
  • 3篇光伏器件
  • 1篇电池
  • 1篇太阳电池
  • 1篇结构特性
  • 1篇XGA
  • 1篇MOCVD
  • 1篇衬底温度
  • 1篇X

机构

  • 8篇天津理工大学

作者

  • 8篇牛伟凯
  • 8篇周凯
  • 8篇薛玉明
  • 8篇汪子涵
  • 8篇王金飞
  • 8篇王一
  • 8篇裴涛
  • 8篇李石亮
  • 7篇朱亚东
  • 7篇宋殿友
  • 5篇姜舒博
  • 5篇杨醒
  • 4篇蓝英杰
  • 3篇潘洪刚
  • 3篇张衷维
  • 3篇辛志军
  • 3篇尹振超
  • 2篇谭炳尧
  • 1篇狄海荣

传媒

  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种具有较小带隙的氮铟镓薄膜及其制备方法
一种具有较小带隙的氮铟镓薄膜，其化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.3～0.8，该氮铟镓薄膜，由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成，所述氮铟镓薄膜的厚度为0.2-...
薛玉明宋殿友朱亚东王金飞周凯李石亮汪子涵裴涛王一牛伟凯蓝英杰
衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响
2012年
本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.
王金飞薛玉明祝俊刚周凯谭炳尧张衷维李石亮裴涛汪子涵王一牛伟凯姜舒博杨醒蓝英杰
关键词：MOCVD太阳电池衬底温度
一种n-p-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备
一种n-p-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件，由衬底、p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜和n-In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>N薄膜依次叠加构成，所述p-I...
薛玉明王金飞宋殿友潘洪刚朱亚东尹振超谭炳尧狄海荣周凯李石亮辛志军汪子涵裴涛王一牛伟凯蓝英杰
文献传递
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件，由衬底、n-In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>N薄膜和p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜依次叠加构成，所述n-I...
薛玉明裴涛潘洪刚宋殿友朱亚东汪子涵张衷维王一牛伟凯辛志军尹振超王金飞周凯李石亮姜舒博杨醒
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜及其制备方法
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜，其化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.05～0.3，该氮铟镓薄膜，由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成，所述氮铟镓薄膜的厚度为0.6...
薛玉明宋殿友朱亚东裴涛汪子涵王一牛伟凯王金飞周凯李石亮姜舒博杨醒
文献传递
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备
一种p-n-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件，由衬底、n-In<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1-y</Sub>N薄膜和p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N薄膜依次叠加构成，所述n-I...
薛玉明裴涛潘洪刚宋殿友朱亚东汪子涵张衷维王一牛伟凯辛志军尹振超王金飞周凯李石亮姜舒博杨醒
文献传递
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜及其制备方法
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜，其化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.05～0.3，该氮铟镓薄膜，由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成，所述氮铟镓薄膜的厚度为0.6...
薛玉明宋殿友朱亚东裴涛汪子涵王一牛伟凯王金飞周凯李石亮姜舒博杨醒
一种具有较小带隙的氮铟镓薄膜及其制备方法
一种具有较小带隙的氮铟镓薄膜，其化学分子式为In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N，式中x为0.3～0.8，该氮铟镓薄膜，由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成，所述氮铟镓薄膜的厚度为0.2-...
薛玉明宋殿友朱亚东王金飞周凯李石亮汪子涵裴涛王一牛伟凯蓝英杰
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