2024年8月19日
星期一
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
田超
作品数:
16
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
董军荣
中国科学院微电子研究所
杨浩
中国科学院微电子研究所
黄杰
中国科学院微电子研究所
张海英
中国科学院微电子研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
15篇
专利
1篇
期刊文章
领域
6篇
电子电信
主题
10篇
二极管
8篇
电路
8篇
肖特基
6篇
微波电路
6篇
肖特基二极管
5篇
势垒
5篇
微波器件
5篇
变容管
4篇
偏置
4篇
偏置电路
4篇
谐波
4篇
衬底
3篇
绝缘衬底
3篇
毫米波
3篇
变容二极管
2篇
单片
2篇
单片集成
2篇
电感
2篇
电路稳定性
2篇
电阻
机构
16篇
中国科学院微...
作者
16篇
张海英
16篇
黄杰
16篇
田超
16篇
杨浩
16篇
董军荣
传媒
1篇
电子器件
年份
1篇
2015
2篇
2014
3篇
2013
5篇
2012
5篇
2011
共
16
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种指数掺杂的砷化镓平面肖特基变容二极管的设计与制作
被引量:3
2011年
利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点。并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率。采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面。经过测试,得到-6V~0.5V电压下的电流特性和-4V~0.2V电压下的电容特性曲线。变容比高达2.3。
田超
杨浩
董军荣
黄杰
张海英
关键词:
砷化镓
变容管
肖特基结
一种耿氏二极管及其制备方法
本发明涉及微波器件中二极管技术领域,具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底,高掺杂下底面n<Sup>+</Sup>GaAs层,有源区n<Sup>-</Sup>Ga...
黄杰
杨浩
张海英
田超
董军荣
文献传递
基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法
本发明涉及一种基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法,属于微波电路技术领域。所述制作方法包括以下步骤:在半绝缘衬底上制得肖特基变容二极管,包括重掺杂N型层、N型层、下电极和上电极,N型层在重掺杂N型层上形成台面...
董军荣
杨浩
黄杰
田超
张海英
一种复合左右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法
本发明涉及一种复合左右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法,属于微波电路技术领域。一种复合左右手非线性传输线微波倍频电路由5节复合左右手非线性传输线单元串联构成,每节复合左右手非线性传输线单元分别由两个串联的相同肖特基...
黄杰
董军荣
杨浩
张海英
田超
文献传递
一种异质结势垒变容管及其制备方法
本发明涉及一种异质结势垒变容管及其制备方法,属于微波器件中变容管技术领域。所述变容管包括从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的两个台阶结构,以及从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的一个台阶结构,三个台阶结构上覆盖有...
董军荣
黄杰
田超
杨浩
张海英
文献传递
一种复合左右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法
本发明涉及一种复合左右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法,属于微波电路技术领域。一种复合左右手非线性传输线微波倍频电路由5节复合左右手非线性传输线单元串联构成,每节复合左右手非线性传输线单元分别由两个串联的相同肖特基...
黄杰
董军荣
杨浩
张海英
田超
一种右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法
本发明涉及微电子中微波电路技术领域,尤其涉及一种基于平面肖特基二极管的右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法。一种右手非线性传输线微波倍频电路,该倍频电路由23节右手非线性传输线单元串联构成,每节右手非线性传输线单元由...
黄杰
董军荣
杨浩
张海英
田超
肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法
本发明涉及一种肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法,属于微波器件中的变容管技术领域。所述模型包括阳极PAD对地的寄生电容、引线寄生电感、串联寄生电阻、结区非线性电容、结区非线性电阻和阴极PAD对地的寄生电容;所述...
董军荣
黄杰
田超
杨浩
张海英
一种异质结势垒变容管及其制备方法
本发明涉及一种异质结势垒变容管及其制备方法,属于微波器件中变容管技术领域。所述变容管包括从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的两个台阶结构,以及从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的一个台阶结构,三个台阶结构上覆盖有...
董军荣
黄杰
田超
杨浩
张海英
一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
本发明涉及到微波技术领域,公开了一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管,该二极管包括:半导体绝缘GaAs衬底;在半导体绝缘GaAs衬底上外延生长的重掺杂的N<Sup>+</Sup>层;在N<Sup>+</Sup>层上外延...
田超
杨浩
董军荣
黄杰
张海英
文献传递
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张