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董军荣

作品数：26 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 17篇二极管
  • 10篇电路
  • 10篇肖特基
  • 8篇微波电路
  • 8篇肖特基二极管
  • 8篇衬底
  • 7篇绝缘衬底
  • 6篇左手
  • 6篇倍频
  • 6篇倍频器
  • 5篇势垒
  • 5篇偏置
  • 5篇偏置电路
  • 5篇微波器件
  • 5篇毫米波
  • 5篇变容二极管
  • 5篇变容管
  • 4篇电感
  • 4篇电阻
  • 4篇右手

机构

  • 26篇中国科学院微...

作者

  • 26篇黄杰
  • 26篇杨浩
  • 26篇董军荣
  • 24篇张海英
  • 16篇田超
  • 8篇吴茹菲
  • 2篇吴如菲

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 8篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法
本发明涉及微电子中微波电路技术领域，尤其涉及一种基于平面肖特基二极管的右手非线性传输线微波倍频电路及其制作方法。一种右手非线性传输线微波倍频电路，该倍频电路由23节右手非线性传输线单元串联构成，每节右手非线性传输线单元由...
黄杰董军荣杨浩张海英田超
一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
本发明公开了一种GaAs肖特基变容二极管，该GaAs肖特基变容二极管包括：用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底；在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N<Sup>+</Sup>层，在N<Sup>+</S...
董军荣杨浩吴如菲黄杰
文献传递
肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法
本发明涉及一种肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法，属于微波器件中的变容管技术领域。所述模型包括阳极PAD对地的寄生电容、引线寄生电感、串联寄生电阻、结区非线性电容、结区非线性电阻和阴极PAD对地的寄生电容；所述...
董军荣黄杰田超杨浩张海英
砷化镓PIN二极管的非线性等效电路及其应用
本发明公开了一种砷化镓PIN二极管的非线性等效电路，属于射频/微波技术领域。该等效电路由寄生电阻、寄生电感、反向电容、正向电容、过渡区电容和开关组成。其中，反向电容、正向电容、过渡区电容并联后与开关串联，开关根据输入信号...
吴茹菲张海英杨浩董军荣黄杰
文献传递
一种耿氏二极管及其制备方法
本发明涉及微波器件中二极管技术领域，具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底，高掺杂下底面n<Sup>+</Sup>GaAs层，有源区n<Sup>-</Sup>Ga...
黄杰杨浩张海英田超董军荣
文献传递
基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法
本发明涉及一种基于平面工艺的左手非线性传输线倍频器及其制作方法，属于微波电路技术领域。所述制作方法包括以下步骤：在半绝缘衬底上制得肖特基变容二极管，包括重掺杂N型层、N型层、下电极和上电极，N型层在重掺杂N型层上形成台面...
董军荣杨浩黄杰田超张海英
一种指数掺杂的砷化镓平面肖特基变容二极管的设计与制作被引量：3
2011年
利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点。并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率。采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面。经过测试,得到-6V～0.5V电压下的电流特性和-4V～0.2V电压下的电容特性曲线。变容比高达2.3。
田超杨浩董军荣黄杰张海英
关键词：砷化镓变容管肖特基结
基于左右手复合非线性传输线的倍频器
本发明公开了一种倍频器，该倍频器由至少一个左右手复合非线性传输线单元构成，该左右手复合非线性传输线单元由单节左手非线性传输线和单节右手非线性传输线串联而成。利用本发明，可以结合左手非线性传输线和右手非线性传输线的优点，提...
杨浩吴茹菲董军荣黄杰张海英
增强型线性梯度掺杂的GaAs平面耿氏二极管及其制作方法
本发明公开了一种增强型线性梯度掺杂GaAs平面耿氏二极管，包括：用于支撑整个GaAs平面耿氏二极管的半导体绝缘衬底；在半导体绝缘衬底上外延生长的高掺杂下底面N<Sup>+</Sup>层；在下底面N<Sup>+</Sup>...
黄杰杨浩董军荣吴茹菲张海英
文献传递
一种异质结势垒变容管及其制备方法
本发明涉及一种异质结势垒变容管及其制备方法，属于微波器件中变容管技术领域。所述变容管包括从重掺杂GaAs帽层到GaAs衬底的两个台阶结构，以及从重掺杂GaAs帽层到重掺杂GaAs沟道层的一个台阶结构，三个台阶结构上覆盖有...
董军荣黄杰田超杨浩张海英
文献传递
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