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胡晓风
胡晓风
作品数:
3
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供职机构:
浙江大学物理系物理学系
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
理学
金属学及工艺
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合作作者
唐景昌
浙江大学物理系物理学系
刘涛
中国科学院高能物理研究所
徐纯一
浙江大学物理系物理学系
胡天斗
中国科学院高能物理研究所
刘卫丽
浙江大学材料与化学工程学院
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浙江大学
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中国科学院
作者
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唐景昌
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胡晓风
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何江平
1篇
陈才金
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刘卫丽
1篇
胡天斗
1篇
徐纯一
1篇
刘涛
传媒
2篇
浙江大学学报...
1篇
真空科学与技...
年份
2篇
1998
1篇
1997
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光电子衍射全息成像的理论研究
1998年
利用多重散射理论计算了吸附系统C(2×2)S/Cu(001)在不同极角和方位角的硫原子1S芯态光电子衍射谱,完成Fourier变换,实现了全息成像模拟,获得的全息原子像与所假定的结构模型一致.
胡晓风
唐景昌
关键词:
全息术
铁锰铝铬合金局域结构的近边X射线吸收精细结构研究
1998年
利用同步辐射X光测量了Fe-Mn-Al-Cr合金的MnlsNEXAFS谱,多重散射团簇(MSC)理论分析显示合金基体中的Mn和Fe分别以体心立方和面心立方微晶的形态存在,它们之间的耦合保证了合金是一种稳定的奥氏体钢.
陈才金
刘卫丽
唐景昌
汪雷
徐纯一
何江平
胡晓风
胡天斗
刘涛
关键词:
X射线吸收谱
局域结构
单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究
1997年
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了单晶硅的K边NEXAFS谱,研究显示NEXAFS谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟C-Si的团簇中引入一定数量的空位,构造了纳米晶硅的模型,MSC计算证实吸收边位置上升约0.5eV,说明纳米晶硅的禁带比c-Si的展宽了。
唐景昌
胡晓风
关键词:
单晶硅
硅
半导体
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