公共文化服务平台

苏龙兴: 作品数：25 被引量：4H指数：1; 供职机构：中山大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

石墨烯对ZnO微米棒光学特性的影响被引量：1: 2015年; 采用化学气相沉积(CVD)方法制备了具有良好结晶质量和(002)择优取向的ZnO微米棒。在此基础上,选取单根ZnO微米棒,将其部分搁置于单层石墨烯表面。光致发光(PL)谱结果表明,石墨烯不仅增强了ZnO微米棒的紫外发光强度,同时也对光场在ZnO微米棒中的分布有很大的限域作用。分析认为这是由于石墨烯的表面等离子效应引起了ZnO微米棒与石墨烯之间的光-物质相互作用导致的。在拉曼(Raman)光谱中,石墨烯对ZnO微米棒的E2(L)声子振动模和E2(H)声子振动模的强度具有明显的减弱效应,这进一步证明二者之间存在光子的传输和电荷的转移,从而导致其晶格振动受到抑制。; 吴春霞苏龙兴何自娟宋刑孙青峰; 关键词：光致发光拉曼

ZnO单晶和BeZnO合金的生长及其紫外探测器研究: 2015年; 用分子束外延(MBE)的方法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO单晶薄膜和BexZn1-xO合金薄膜。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,合金材料中Be元素的摩尔分数分别为1.8%、4.9%、8.0%和15.3%。在此基础上制备了ZnO基和BexZn1-xO基的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器。ZnO单晶探测器的响应波长为375nm,在1V电压下,350nm处的光响应度高达43A/W,光电流和暗电流之比达到105量级。在BexZn1-xO基紫外探测器中,其截止响应波长随着合金中Be含量的增加逐渐蓝移,其中Be0.153-Zn0.847O合金探测器的截止响应波长为366nm,紫外波段和可见波段的光电流之比达到2~3个数量级,具有良好的信噪比。此外,提出了氧气等离子体表面处理降低探测器暗电流的方法,并使ZnO单晶探测器的暗电流降低了4个数量级。; 王玉超张权林苏龙兴沈正川吴天准汤子康; 关键词：ZNO单晶紫外探测器表面处理分子束外延

BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器及制法: 本发明公开了一种BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；n型薄膜...; 汤子康祝渊苏龙兴张权林陈明明陈安琪桂许春项荣吴天准; 文献传递

MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究: 2013年; 用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。; 王玉超吴天准张权林陈明明苏龙兴汤子康; 关键词：MGXZN1-XO 分子束外延光致发光共振拉曼光谱

高质量ZnO单晶薄膜的生长及其紫外探测器的研究: 本文利用MgO和低温ZnO的缓冲层技术在c面的蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的ZnO单晶薄膜.通过XRD测试,ZnO薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(...; 苏宇泉苏龙兴关钊允祝渊陈安琪陈明明桂许春赵呈春吴艳雁季旭汤子康; 关键词：缓冲层应力探测器

一种p型导电氧化锌薄膜材料及制备方法: 本发明公开了一种p型导电氧化锌薄膜材料，其包括衬底及生长于衬底上的外延层，自衬底至外延层之间依次设有金属镁层、氧化镁层、生长温度逐渐升高的第一氧化锌层与第二氧化锌层；外延层为在氧化锌合金中掺入受主元素B和掺入A原子形成的...; 汤子康陈明明苏龙兴张权林祝渊吴天准桂许春项荣

在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜: 2015年; 利用Mg O和低温Zn O的缓冲层技术,在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的Zn O单晶薄膜。通过XRD测试,Zn O薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4 arcsec,(102)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)为1 150 arcsec,显示了外延薄膜极高的晶体质量。另外从扫描电子显微测试结果和原子力显微测试结果来看,Zn O薄膜具有极为平整的表面,3μm×3μm面积内的均方根粗糙度仅为0.842 nm,接近原子级的平整。拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)测试结果显示,Zn O薄膜样品内部的应力基本释放,而且具有极低的点缺陷密度。高质量Zn O单晶薄膜的实现为Zn O基的光电器件的制备提供了坚实的基础。; 张权林苏龙兴吴天准王玉超祝渊陈明明桂许春汤子康; 关键词：缓冲层应力 ZNO

一种提高异质外延层晶体质量的方法: 本发明属于纳米材料外延技术领域，具体公开一种提高异质外延层晶体质量的方法。本发明在衬底上先外延生长Mg/MgO复合缓冲层，充当晶格失配较大的衬底与ZnO外延薄膜中间的过渡缓冲角色，因而可以极大提高异质外延层晶体质量，同时...; 汤子康吴天准张权林王玉超苏龙兴陈明明祝渊桂许春项荣; 文献传递