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张权林: 作品数：19 被引量：3H指数：1; 供职机构：中山大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

ZnO单晶和BeZnO合金的生长及其紫外探测器研究: 2015年; 用分子束外延(MBE)的方法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO单晶薄膜和BexZn1-xO合金薄膜。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,合金材料中Be元素的摩尔分数分别为1.8%、4.9%、8.0%和15.3%。在此基础上制备了ZnO基和BexZn1-xO基的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器。ZnO单晶探测器的响应波长为375nm,在1V电压下,350nm处的光响应度高达43A/W,光电流和暗电流之比达到105量级。在BexZn1-xO基紫外探测器中,其截止响应波长随着合金中Be含量的增加逐渐蓝移,其中Be0.153-Zn0.847O合金探测器的截止响应波长为366nm,紫外波段和可见波段的光电流之比达到2~3个数量级,具有良好的信噪比。此外,提出了氧气等离子体表面处理降低探测器暗电流的方法,并使ZnO单晶探测器的暗电流降低了4个数量级。; 王玉超张权林苏龙兴沈正川吴天准汤子康; 关键词：ZNO单晶紫外探测器表面处理分子束外延

BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器及制法: 本发明公开了一种BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；n型薄膜...; 汤子康祝渊苏龙兴张权林陈明明陈安琪桂许春项荣吴天准; 文献传递

n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器研究: 2016年; 本文在传统的半导体外延工艺上生长了氮化镓Ga N和氧化锌Zn O两种第三代宽禁带半导体薄膜,并在此基础上通过半导体器件工艺制备了n-Zn O/i-Zn O/p-Ga N异质结紫外探测器,I-V曲线和光响应度测试,器件显示了较低的反偏压漏电流和较强的紫外波段的光响应电流,优秀的性能充分地展示了该异质结探测器在军、民用中有着重要的应用前景。; 张权林; 关键词：氮化镓氧化锌紫外探测器

MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究: 2013年; 用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。; 王玉超吴天准张权林陈明明苏龙兴汤子康; 关键词：MGXZN1-XO 分子束外延光致发光共振拉曼光谱

一种p型导电氧化锌薄膜材料及制备方法: 本发明公开了一种p型导电氧化锌薄膜材料，其包括衬底及生长于衬底上的外延层，自衬底至外延层之间依次设有金属镁层、氧化镁层、生长温度逐渐升高的第一氧化锌层与第二氧化锌层；外延层为在氧化锌合金中掺入受主元素B和掺入A原子形成的...; 汤子康陈明明苏龙兴张权林祝渊吴天准桂许春项荣

在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜: 2015年; 利用Mg O和低温Zn O的缓冲层技术,在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的Zn O单晶薄膜。通过XRD测试,Zn O薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4 arcsec,(102)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)为1 150 arcsec,显示了外延薄膜极高的晶体质量。另外从扫描电子显微测试结果和原子力显微测试结果来看,Zn O薄膜具有极为平整的表面,3μm×3μm面积内的均方根粗糙度仅为0.842 nm,接近原子级的平整。拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)测试结果显示,Zn O薄膜样品内部的应力基本释放,而且具有极低的点缺陷密度。高质量Zn O单晶薄膜的实现为Zn O基的光电器件的制备提供了坚实的基础。; 张权林苏龙兴吴天准王玉超祝渊陈明明桂许春汤子康; 关键词：缓冲层应力 ZNO

一种提高异质外延层晶体质量的方法: 本发明属于纳米材料外延技术领域，具体公开一种提高异质外延层晶体质量的方法。本发明在衬底上先外延生长Mg/MgO复合缓冲层，充当晶格失配较大的衬底与ZnO外延薄膜中间的过渡缓冲角色，因而可以极大提高异质外延层晶体质量，同时...; 汤子康吴天准张权林王玉超苏龙兴陈明明祝渊桂许春项荣; 文献传递