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文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇AZO薄膜
  • 7篇溶胶
  • 6篇溶胶-凝胶
  • 5篇光电
  • 4篇光电性
  • 4篇光电性能
  • 4篇AZO
  • 3篇正交
  • 3篇透明导电
  • 2篇正交设计
  • 2篇凝胶法制备
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇导体
  • 1篇电特性
  • 1篇电阻率
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物纳米材...
  • 1篇允差
  • 1篇真空

机构

  • 8篇武汉理工大学
  • 3篇华中科技大学

作者

  • 11篇葛春桥
  • 6篇郭爱云
  • 6篇薛亦渝
  • 4篇夏志林
  • 3篇胡小锋
  • 1篇刘卫华
  • 1篇胡小峰
  • 1篇唐超
  • 1篇朱选敏
  • 1篇张幼陵

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇真空电子技术
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇真空
  • 1篇应用光学
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 6篇2005
  • 3篇2004
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用被引量:17
2004年
AZO透明导电薄膜是一种半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和较大的光学禁带宽度,因而具有优异的光电性能,极具应用价值。本文介绍了AZO透明导电薄膜的晶体结构和光电特性,综述了国内外对AZO薄膜所开展的研究工作,并简要地介绍了AZO薄膜的实际应用。
葛春桥薛亦渝夏志林
关键词:AZO薄膜光电特性禁带宽度
掺杂浓度对AZO薄膜结构和性能的影响被引量:8
2004年
采用溶胶-凝胶工艺在玻璃基片上制备Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明:薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率为1.5×10-2~8.2×10-2 Ω·cm.
葛春桥夏志林郭爱云
关键词:AZO薄膜溶胶-凝胶SEMXRD电阻率
ZnO:Al(AZO)薄膜制备工艺参数的正交优化设计被引量:5
2004年
采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究;确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
葛春桥薛亦渝郭爱云胡小锋唐超
关键词:AZO薄膜溶胶-凝胶正交设计
电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验被引量:12
2005年
采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:A1(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好。
郭爱云薛亦渝夏志林朱选敏葛春桥
关键词:ZAO薄膜正交试验
掺杂浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响被引量:7
2005年
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透过率和低电阻率的Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜,对这种薄膜进行了X-射线衍射和扫描电镜分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明,制备的薄膜为钎锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;其可见光透过率可达85%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率在1.5×10-2~8.2×10-2Ω·cm.
葛春桥
关键词:溶胶-凝胶AZO薄膜光电性能
光学薄膜的误差灵敏度和允差分析
2005年
实际生产出的薄膜的光学特性和理论计算得到的光学特性常常存在差别,这些差别的来源有多种,诸如理论模型假设时忽略的一些因素;薄膜久置引起的薄膜结构改变或吸潮、污染;制造过程中的制造误差(光学监控系统引起的薄膜厚度和折射率的误差)等。针对各种误差的来源有相应的改善方法。本文就光学监控系统引起的薄膜厚度和折射率的误差进行分析,同时提出膜系的允差分析,以尽量减小由于监控设备引起的误差,最后介绍了实际生产的计算机优化监控程序。
夏志林薛亦渝葛春桥张幼陵刘卫华
关键词:灵敏度允差
掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究被引量:11
2006年
掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料,其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法,化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶-凝胶(so l-gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出A l3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理,并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明,所制备的薄膜为钎锌矿型结构,在c轴方向择优生长,真空退火有利于薄膜结晶状况的改善,并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降,并且真空退火对薄膜的透射率影响不大。
葛春桥郭爱云胡小峰
关键词:溶胶-凝胶AZO薄膜真空退火光电性能
溶胶-凝胶法制备AZO薄膜工艺参数的优化被引量:4
2005年
采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究,确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的方法。
葛春桥薛亦渝胡小锋郭爱云
关键词:AZO薄膜溶胶-凝胶正交设计
溶胶—凝胶法制备AZO透明导电薄膜的研究
透明导电氧化物薄膜具有高的载流子浓度和较宽的光学能隙,因而表现出优良的光电性能,如低的电阻率和在可见光范围内高的透射率.目前,透明导电氧化物薄膜主要包括SnO<,2>、In<,2>O<,3>、ZnO及上述氧化物的掺杂体系...
葛春桥
关键词:AZO薄膜光电性能
文献传递
溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜及其光电性能研究被引量:5
2005年
采用溶胶 凝胶方法制备了AZO半导体透明导电薄膜,并研究了退火温度对其结构和性能的影响。结果表明:AZO薄膜的晶粒成等轴状,薄膜的电阻率在(2~8)×10-3Ω·cm之间,平均透射率在80%以上。
葛春桥薛亦渝胡小锋郭爱云
关键词:AZO薄膜溶胶凝胶光电性能
共2页<12>
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