陆敏
- 作品数：12 被引量：29H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响被引量：9
- 2004年
- 采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高
- 陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN缓冲层
- GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
- 2005年
- 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
- 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
- 关键词：透射电镜激光剥离
- MOCVD侧向外延GaN的结构特性被引量：2
- 2005年
- 侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。
- 方慧智陆敏陈志忠陆羽胡晓东杨志坚张国义
- 关键词：金属有机化学气相沉积氮化镓原子力显微镜拉曼散射
- 缓冲层对MOCVD生长的氮化镓特性的影响
- 本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲层法均有不同程度的改善,实验结果表明...
- 陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN缓冲层
- 文献传递
- 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)被引量：1
- 2004年
- 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融
- 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓
- 关键词：氮化镓
- 量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响被引量：5
- 2007年
- 采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片。对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片。
- 陆敏杨志坚潘尧波陆羽陈志忠张国义
- 关键词：MOCVDGAN量子阱结构
- GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
- 用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子...
- 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
- 关键词：线缺陷
- 文献传递
- 高亮度白光LED用外延片的新进展被引量：11
- 2007年
- 文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的优化,侧向外延生长,SiC和GaN衬底的生长,AlInGaN四元系有源区生长,非极性面、半极性面的外延,表面粗化结构生长,图形化二次外延结构.图形化蓝宝石衬底上的外延,提高载流子注入效率的结构和组分设计.文章的第五部分则介绍了基于可靠性和成本考虑的其他新型外延结构,第六部分介绍了提高LED可靠性的外延方法.最后得出结论:采用非极性面的GaN衬底,生长优化的LED结构,并结合光子晶体技术,可望取得突破性进展.
- 张国义陆敏陈志忠
- 关键词：发光二极管量子效率可靠性
- 腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性
- 2004年
- 利用熔融 KOH液对单层 Ga N腐蚀后进行二次 MOCVD外延生长 ,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试 ,实验结果表明二次生长 2 h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性 .在腐蚀坑处 ,坑中早期的慢速生长及后期的侧向生长都抑制穿透螺位错的生长 ,坑边缘与中心的非对称生长会引入新的穿透刃位错 ,莲花状坑结构相遇连通可以使连通处的穿透刃位错消失 .
- 陆敏方慧智陆曙黎子兰杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN
- 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)被引量：1
- 2005年
- 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。
- 杨志坚胡晓东章蓓陆敏陆羽潘尧波张振声任谦徐军李忠辉陈志忠秦志新于彤军童玉珍张国义
- 关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积
