方慧智
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性
- 2004年
- 利用熔融 KOH液对单层 Ga N腐蚀后进行二次 MOCVD外延生长 ,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试 ,实验结果表明二次生长 2 h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性 .在腐蚀坑处 ,坑中早期的慢速生长及后期的侧向生长都抑制穿透螺位错的生长 ,坑边缘与中心的非对称生长会引入新的穿透刃位错 ,莲花状坑结构相遇连通可以使连通处的穿透刃位错消失 .
- 陆敏方慧智陆曙黎子兰杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN
- 多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响被引量：9
- 2004年
- 采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高
- 陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN缓冲层
- MOCVD侧向外延GaN的结构特性被引量：2
- 2005年
- 侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。
- 方慧智陆敏陈志忠陆羽胡晓东杨志坚张国义
- 关键词：金属有机化学气相沉积氮化镓原子力显微镜拉曼散射
- 缓冲层对MOCVD生长的氮化镓特性的影响
- 本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲层法均有不同程度的改善,实验结果表明...
- 陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义
- 关键词：MOCVDGAN缓冲层
- 文献传递
- 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文)被引量：1
- 2004年
- 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融
- 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓
- 关键词：氮化镓
- AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)
- 2004年
- 采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm )
- 陆敏方慧智张国义
- 关键词：MQWSCH
- 用MOCVD方法侧向外延生长GaN的研究
- 该论文工作以减少GaN/Al<,2>O<,3>外延薄膜的位错密度为目标,用MOCVD侧向外延生长GaN外延薄膜,并运用多种手段对侧向外延GaN薄膜进行了系统研究.(1)用MOCVD方法生长GaN/Al<,2>O<,3>初...
- 方慧智
- 关键词：GANMOVPEXRDPLAFM
