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黄仲平

作品数：9 被引量：9H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇场致发射
  • 3篇硅
  • 3篇场发射
  • 2篇电子器件
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇真空微电子
  • 2篇真空微电子器...
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇二极管
  • 1篇真空
  • 1篇真空微电子学
  • 1篇制备及特性
  • 1篇锐化
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇平板显示
  • 1篇平板显示器
  • 1篇微波功率晶体...

机构

  • 8篇南京电子器件...
  • 4篇东南大学

作者

  • 9篇黄仲平
  • 6篇王保平
  • 2篇王因生
  • 2篇张树丹
  • 2篇童林夙
  • 2篇蔡勇
  • 2篇童林夙
  • 1篇钟志新
  • 1篇林川
  • 1篇陈盘敖
  • 1篇王佃利
  • 1篇康小虎
  • 1篇汪琛
  • 1篇赵宏卫
  • 1篇王志楠
  • 1篇蔡勇
  • 1篇汪琛
  • 1篇赵宏卫
  • 1篇谭卫东
  • 1篇陈群霞

传媒

  • 3篇光电子技术
  • 2篇电子器件
  • 1篇Journa...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第五届全国场...

年份

  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 4篇1994
  • 1篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
硅尖阵列场致发射阴极及其二极管制备工艺初探
1994年
随着大规模集成电路技术的发展,采用化学腐蚀的方法制备硅尖阵列及其二极管在真空微电子学中已被广泛采纳和应用。本文简要叙述了在各向同性腐蚀和各向异性腐蚀下硅尖形成的基本理论,讨论了硅尖形成的常用方法及其相关技术,扼要地介绍了硅尖阵列及其二极管制备过程中涉及到的重要工艺(如氧化锐化、平面化技术、静电键合和自对准工艺)。
王保平黄仲平蔡勇
关键词：二极管场致发射阴极硅
真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究
黄仲平王保平
关键词：微电子技术场致发射
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
1997年
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。
赵宏卫汪琛黄仲平王保平童林夙
关键词：场致发射阵列多晶硅平板显示器
硅场发射三极管的研究
1996年
简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的I－V特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。
陈盘敖陈群霞黄仲平
关键词：场发射真空
一种InSb薄膜型霍尔器件
1991年
霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、
黄仲平丁辉敏
关键词：薄膜型INSB
L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
1997年
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇流，器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配，在L波段脉冲输出大于100W（36V），脉宽150μs，工作比10％，增益大于7．5dB，效率大于45％，器件最大输出达150W（42V）。
王因生林川王佃利王志楠张树丹黄仲平康小虎钟志新
关键词：微波功率晶体管双极晶体管多晶硅
环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究被引量：2
1997年
本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．
赵宏卫汪琛黄仲平蔡勇王保平童林夙
真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究被引量：1
1994年
本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果，并对其结果进行了讨论，同时还给出了测得的Ｆ—Ｎ和Ｖ—Ｉ特性曲线。
黄仲平蔡勇张树丹王因生谭卫东王保平
关键词：真空微电子学湿法腐蚀锐化
硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究被引量：1
1994年
本文采用各向异性腐蚀和干－湿－干氧化锐化工艺，在ｎ型，（１００）晶向、电阻率为３～５Ωｃｍ、３英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达１５０００个／ｍｍ￣２，硅尖曲率半径小于３０ｎｍ；在３５Ｖ收集极电压下，单尖发出电流达０．１４μＡ，其Ⅰ—Ⅴ曲线与Ｆ—Ｎ公式类似。
王保平童林夙赵琴黄仲平蔡勇
关键词：各向异性腐蚀场致发射二极管
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