您的位置： 专家智库 > >

童林夙

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇平板显示
  • 1篇平板显示器
  • 1篇显示器
  • 1篇硅
  • 1篇场致发射
  • 1篇场致发射阵列

机构

  • 2篇东南大学
  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇王保平
  • 2篇黄仲平
  • 2篇童林夙
  • 1篇汪琛
  • 1篇赵宏卫
  • 1篇童林夙
  • 1篇蔡勇
  • 1篇汪琛
  • 1篇赵宏卫

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
1997年
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。
赵宏卫汪琛黄仲平王保平童林夙
关键词：场致发射阵列多晶硅平板显示器
环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究被引量：2
1997年
本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．
赵宏卫汪琛黄仲平蔡勇王保平童林夙
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0