龙先灌
- 作品数：30 被引量：31H指数：4
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院原子核科学技术研究所更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学核科学技术生物学电子电信更多>>
- 电子束表面分析的一点注记
- 1993年
- <正> 人们通常应用10～10~2×keV的电子束来分析表面元素成份,并分为定性分析和定量分析。定性分析是要确定表面的元素组成;定量分析是要确定构成表面元素的浓度和相对比例.近年来,质子荧光分析(PLXE)技术有一个重要的进展,那就是应用改变能量或改变入射角的方法,由一组被测元素的特微X射线计数来测定该元素在表面深度的分布信息。该方法的基本原理是,如果N(E)代表x射线探测器的计数,c(x)为待测痕量元素的浓度分布,则N(E)和C(x)
- 罗正明李文学龙先灌
- 关键词：电子束
- 最优线性联想记忆网络方法在人发X射线荧光分析中的应用研究被引量：4
- 2000年
- 作者针对X荧光分析中散射峰干扰和直线拟合精度差等问题 ,采用最优线性联想记忆 (OLAM )神经网络方法解谱 ,研究了无散射峰标准谱的产生和本底干扰问题 .通过用一维高斯分布随机数模拟本底计数产生无散射峰标准谱的方法 ,提高了分析精度 .
- 袁学东吴丽萍龙先灌周厚全
- 关键词：X射线荧光分析微量元素
- 极化对碘化汞探测器的影响被引量：4
- 1999年
- 给出了以碘化汞为探测器室温谱仪系统的一些测量结果，着重讨论了极化对探测器性能的影响，提出了消除极化影响的措施。
- 彭秀峰何福庆龙先灌李正辉李伟堂
- 关键词：探测器极化核辐射谱仪
- CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流被引量：2
- 2002年
- 对具有金属 -半导体 -金属 (MSM)结构的 Cd Se探测器的噪声进行了实验观测 ,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析 ,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的 .因此只有改变正极接触 ,才能有效地阻止空穴注入 ,从而消除探测器噪声 .
- 金应荣朱世富赵北君王雪敏宋芳李奇峰何福庆彭秀峰龙先灌
- 关键词：核辐射探测器漏电流噪声
- 关于单晶硅的面沟道效应研究
- 在单晶硅中,(111)晶面方向存在两种不同的面间距 a(a)) 和 d(d))=d(b))．Gemmell指出：可以予期在实验上能够观察到(111)面沟道有两个分量,其中一个比另一个具有较小ψ士和较快的退道率等。最近,魏...
- 龙先灌王明华何福庆彭秀峰
- 文献传递
- ^(107)Ag(d,2n)^(107)Cd和^(109)Ag(d,2n)^(109)Cd反应的激发函数
- 1993年
- 用13.4MeV的氘束轰击天然银迭靶,银箔前后用铝箔作捕集减能膜。实验确定了^(107)Ag(d,2n)^(107)Cd和^(109)Ag(d,2n)^(109)Cd反应的激发函数,同时作了理论计算。由结果可见,实验值与理论值吻合得很好。
- 彭秀峰龙先灌刘慢天何福庆
- 关键词：激发函数核反应
- 线性联想记忆神经网络中Moore-Penrose广义逆的计算
- ore-Penrose广义逆矩阵的计算是线性联想记忆神经网络求解核谱中一个非常重要的环节,一般采用Greville迭代法.针对X射线荧光谱分析的具体应用,分别采用了Greville 法和常规逆矩阵法计算广义逆,指出了程序...
- 黄宁龙先灌
- 关键词：MOORE-PENROSE广义逆
- 硅同质外延层的沟道效应研究
- 单晶外延生长技术在半导体领域内已得到广泛应用,为掌握高质量外延层的生长条件,必须研究在不同条件下得到的外延层中缺陷沿纵向分布情况。在这方面研究中,离子沟道效应就是一种十分有利的手段。
- 王明华彭秀峰龙先灌何福庆郭华聪
- 文献传递
- 电子注入对CdSe探测器性能的影响
- 2002年
- 研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺 ,并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现 ,CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流 ,减小探测器噪声 ,提高探测器能量分辨率 .制备出的CdSe室温核辐射探测器对2 4 1Am 5 9.5keV和10 9Cd87keVγ射线的能量分辨率分别为 9.6 %和 7.5 % .
- 王雪敏朱世富赵北君金应荣陈松林何福庆彭秀峰龙先灌
- 关键词：核辐射探测器电子注入能量分辨率
- 三维定角器的研制
- 沟道效应的研究以及它在固体研究中的应用正日趋深入和广泛。在这些研究中都要求被研究的晶体在空间精确定向。因此晶体必须要安放在定确器上,为此我们对这一装置进行了研制。我们研制的三维定角器由机械和数字控制两部分组成。
- 王明华何福庆郭华聪彭秀峰龙先灌
