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文献类型

  • 7篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇沟道
  • 2篇单晶
  • 2篇背散射
  • 1篇单晶硅
  • 1篇道一
  • 1篇质子
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束混合
  • 1篇晶体
  • 1篇角器
  • 1篇核反应
  • 1篇SI
  • 1篇SI薄膜
  • 1篇
  • 1篇CR-AL
  • 1篇LINBO3...

机构

  • 8篇四川大学

作者

  • 8篇王明华
  • 6篇郭华聪
  • 6篇何福庆
  • 6篇彭秀峰
  • 5篇龙先灌
  • 1篇汪德志
  • 1篇申勇
  • 1篇黄宁康
  • 1篇冯志蓉
  • 1篇熊兆奎
  • 1篇王培禄

传媒

  • 4篇第五次核物理...
  • 1篇核技术
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1989
  • 6篇1982
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
三维定角器的研制
沟道效应的研究以及它在固体研究中的应用正日趋深入和广泛。在这些研究中都要求被研究的晶体在空间精确定向。因此晶体必须要安放在定确器上,为此我们对这一装置进行了研制。我们研制的三维定角器由机械和数字控制两部分组成。
王明华何福庆郭华聪彭秀峰龙先灌
三束结合沉积技术及其陶瓷热障涂层
简述了离子束电子束原子束结合沉积技术。并就该技术制备的陶瓷热障涂层NiCoCrAlY-ZrO2·Y2O3及其1100℃300小时的高温氧化前后微结构作了相应的介绍。
黄宁康汪德志冯志蓉王明华王培禄熊兆奎申勇
文献传递
Si〈111〉和(111)1Mev质子沟道效应研究
关于 Si 的沟道效应,国内外发表了很多文章,但缺少1Mev 质子 Si〈111〉的沟道实验数据,由于 Si〈111〉和(111)是不等晶格间距和不等晶面间距,使我们有兴趣来较深入地研究其沟道效应,文献①曾研究过金刚石型...
郭华聪何福庆彭秀峰王明华
文献传递
硅同质外延层的沟道效应研究
单晶外延生长技术在半导体领域内已得到广泛应用,为掌握高质量外延层的生长条件,必须研究在不同条件下得到的外延层中缺陷沿纵向分布情况。在这方面研究中,离子沟道效应就是一种十分有利的手段。
王明华彭秀峰龙先灌何福庆郭华聪
文献传递
Cr-Al离子束混合效应的RBS测量
1989年
离子束混合技术是改善金属表面性质的一种重要方法,为了研究膜和基体的混合状态,我们用N离子束轰击Al基体上的Cr膜,并用背散射方法测量了Cr-Al的离子束混合效应,还利用^(15)N(p,α)^(12)C反应,比较准确地测定了N离子的入射剂量。
郭华聪谢必正王明华
关键词:离子束混合核反应背散射
关于单晶硅的面沟道效应研究
在单晶硅中,(111)晶面方向存在两种不同的面间距 a(a)) 和 d(d))=d(b)).Gemmell指出:可以予期在实验上能够观察到(111)面沟道有两个分量,其中一个比另一个具有较小ψ士和较快的退道率等。最近,魏...
龙先灌王明华何福庆彭秀峰
文献传递
〈100〉单晶Si薄膜的沟道一背散射研究
迄今为止,国内外已利用沟道效应对单晶 Si 作了大量研究。而单晶硅薄膜,最近又在表面及介面科学中与沟道技术一起成为一种独特的研究手段。因此对 Si 薄膜本身的性质进行探讨仍然有其实际意义。
彭秀峰龙先灌何福庆王明华郭华聪
文献传递
α-LiIO3、LiNbO3晶体的沟道效应研究
沟道效应技术已大量用于单原子晶体的研究,也有少部份双原子晶体的研究工作,但用于研究多原子复杂晶体的工作却很少见到。为了把这种技术扩展到多原子晶体,并检验现有沟道理论对多原子
郭华聪彭秀峰王明华龙先灌何福庆
文献传递
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