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公祥南

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：温州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇散射
  • 1篇纳米硅
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇SIO2

机构

  • 1篇教育部
  • 1篇中国科学院
  • 1篇温州大学

作者

  • 1篇万里
  • 1篇边惠
  • 1篇毕大炜
  • 1篇公祥南
  • 1篇唐东升
  • 1篇张有为

传媒

  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
表面粗糙化来提高SiO2中纳米硅的拉曼强度
2011年
本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.
张有为毕大炜公祥南边惠万里唐东升
关键词：纳米硅拉曼散射
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共1页<1>
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