刘志国
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 一种光学薄膜偏振保真度的测量方法
- 一种光学薄膜偏振保真度的测量方法，其特征在于：激光器发射特定波长激光光束，通过起偏器后产生振动方位角45°线偏振光，经待测光学薄膜元件反射后，旋转检偏器，通过光功率计测量最大功率与最小功率，则最大功率与最小功率之比即为光...
- 刘洪祥刘志国庞薇
- 文献传递
- 激光量热法测量红外光学薄膜吸收被引量：2
- 2004年
- 建立了一种评价波长为1.319μm光学薄膜的吸收损耗的吸收测量系统。采用激光量热计方法的原因在于:它已被广泛用来测量光学薄膜吸收,并且有很高的可靠性。描述了激光量热计法测量吸收装置的设计和建立,并给出基底—薄膜整体吸收的测量结果和记录的温度曲线,最后提出了在研究激光量热计测量方法中几个要考虑的问题。
- 刘志国熊胜明张云洞
- 关键词：吸收比
- DF强激光反射镜热畸变的检测及热吸收的有限元分析被引量：5
- 2005年
- 以功率约为30 kW,中心波长为3 8μm,出光时间为1 s的连续DF化学激光器作为抽运源,在抽运光共轴近正入射于圆形反射镜条件下,利用夏克哈特曼(Shack-Hartmann)波前传感器,对不同工艺条件下镀制的3 8/0 633μm双波段多层膜强激光反射镜的热畸变量进行了检测.基于热传导方程和热弹方程,在考虑到空气折射率热效应基础上,利用有限元分析方法,完成了对不同反射镜热吸收的评价.结果表明,在目前最好的工艺参数控制条件下,所镀制的反射镜的热吸收率接近于80×10-6.从而在膜层材料及膜系设计结构均完全相同的前提下,达到了评价及优化膜系镀制工艺的目的.
- 齐文宗黄伟张彬蔡邦维刘志国
- 关键词：热吸收有限元分析
- 激光量热法测量红外光学薄膜吸收
- 本文建立了一种评价波长为1.319μm光学薄膜的吸收损耗的吸收测量系统。这里采用激光量热计方法，是因为它被广泛用来测量光学薄膜吸收，并且有很高的可靠性。论述了激光量热计法测量吸收装置的设计和建立，并给出基底-薄膜整体吸收...
- 刘志国熊胜明张云洞
- 关键词：温度曲线
- 文献传递
- 一种光学薄膜偏振保真度的测量方法
- 一种光学薄膜偏振保真度的测量方法，其特征在于：激光器发射特定波长激光光束，通过起偏器后产生振动方位角45°线偏振光，经待测光学薄膜元件反射后，旋转检偏器，通过光功率计测量最大功率与最小功率，则最大功率与最小功率之比即为光...
- 刘洪祥刘志国庞薇
- 文献传递
- CO_2激光辐照下光学薄膜的温度场与热畸变被引量：6
- 2004年
- 介绍了光学薄膜温度场的基本理论 ,利用交替隐型技术 ,对 10 .6 μm激光辐照下介质薄膜的温度场分布进行了数值模拟和理论分析。在此基础上 ,利用夏克 哈特曼波前传感器对介质基底样品、不同厚度的介质单层膜样品以及不同膜系的YbF3 /ZnSe介质多层膜样品在 10 .6 μmCO2 激光辐照下的热畸变进行了实验研究。研究结果表明 ,激光辐照下光学薄膜样品的温度场分布与辐照激光的光场分布、激光功率以及激光的辐照时间等因素有关。对于 10 .6 μm激光而言 ,Ge最适宜做基底材料。
- 杨富黄伟张彬楚晓亮刘志国蔡邦维
- 关键词：光学薄膜温度场热畸变
- 一种使用椭偏仪测量光学薄膜偏振保真度的方法
- 本发明提供一种使用椭偏仪测量光学薄膜偏振保真度的方法，根据椭圆偏振光的理论基础，建立光学薄膜的偏振保真度与相位延迟之间关系，再通过可变角椭偏仪测量线偏振光经过单个光学薄膜元件反射后的相位延迟，确定光学薄膜的偏振保真度。该...
- 庞薇刘洪祥刘志国
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- 激光量热法测量红外光学薄膜吸收
- 建立了一种评价波长为1.319μm光学薄膜的吸收损耗的吸收测量系统。采用激光量热计方法的原因在于:它已被广泛用来测量光学薄膜吸收,并且有很高的可靠性。描述了激光量热计法测量吸收装置的设计和建立,并给出基底—薄膜整体吸收的...
- 刘志国熊胜明张云洞
- 关键词：吸收比量热YAG激光
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- 离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响被引量：3
- 2009年
- 基于Leybold APS1104镀膜系统，采用离子束辅助反应沉积技术，以金属Hf粒为初始镀膜材料，APS源偏转电压为50～140V范围内，在[-100]单晶硅片和紫外石英（JGS1）基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明：当APS源偏转电压在120～140V及50～90V两个范围内变化时，HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小，而为nO～90V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感；偏转电压在50～140V的范围内时，制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化；当偏转电压为100V时，HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26．2nm及5．79nm，其后，随着偏转电压的降低，二者均逐渐减小。
- 申林田俊林刘志国熊胜明
- 关键词：离子束辅助HFO2
