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刘瑞喜

作品数：17 被引量：17H指数：3
供职机构：兰州大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 8篇晶体管
  • 5篇晶闸管
  • 5篇静电感应晶体...
  • 5篇静电感应晶闸...
  • 5篇静电感应器件
  • 4篇SIT
  • 4篇SITH
  • 3篇双极型
  • 3篇复合结构
  • 2篇单晶
  • 2篇电参数
  • 2篇电性能
  • 2篇芯片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇扩散
  • 2篇沟道
  • 2篇固体器件
  • 2篇BSIT
  • 2篇衬底

机构

  • 17篇兰州大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 17篇刘瑞喜
  • 16篇李思渊
  • 9篇刘肃
  • 9篇杨建红
  • 5篇何山虎
  • 4篇任立
  • 4篇黄仕琴
  • 4篇毕祥林
  • 4篇马淑萍
  • 4篇马中华
  • 4篇杨利成
  • 3篇孟雄晖
  • 3篇薛传明
  • 2篇孙志军
  • 2篇芦小莹
  • 2篇梁元涛
  • 2篇王林
  • 2篇张明兰
  • 2篇曹磊
  • 2篇姜岩峰

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 4篇兰州大学学报...
  • 1篇甘肃教育学院...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 4篇1998
  • 3篇1996
  • 3篇1995
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨被引量：1
1999年
讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，以及电参数的工艺调节。设计了１００Ａ／１２００Ｖ的器件并给出了研制结果。
薛传明李思渊刘瑞喜黄仕琴
关键词：晶闸管静电感应晶闸管电参数参数设计
FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量(英文)
2003年
利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差 .从放大的自发发射谱 ,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱 .利用上述方法 ,测出的 15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为 2 4cm-1.
韩春林刘瑞喜国伟华于丽娟黄永箴
关键词：半导体激光器测量技术腔内损耗
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究被引量：2
2000年
讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构。
孟雄晖李思渊刘瑞喜
关键词：静电感应晶体管电性能参数电流-电压特性
复合结构的静电感应器件被引量：6
1996年
复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”－”．近几年我们采用了一种介于上述两种结构之间的结构（用０...
李思渊刘肃刘瑞喜杨建红
关键词：静电感应器件复合结构
BSIT开启特性的研究被引量：1
1996年
双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟．结果表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即由正向小栅压（ＶＧ≤０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压（ＶＧ≥０．５Ｖ）下的少子注入电流控制机制．数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降与饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压。
李思渊刘瑞喜李成刘肃杨建红韩永召
关键词：双极型静电感应晶体管
静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析被引量：3
1995年
首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释，然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上，用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。
李思渊刘瑞喜李成席传裕刘肃杨建红
关键词：静电感应晶闸管沟道势垒晶闸管
全文增补中
复合结构的晶体管制造方法及晶体管
本发明涉及一种固体器件,特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管,以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现:首先在衬底材料表面形成绝缘层,然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口,用扩散...
李思渊杨建红何山虎刘肃刘瑞喜桑保生毕祥林卓肇龙马淑萍卢小莹马中华杨利成任立
文献传递
静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）
1995年
静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...
李思渊刘瑞喜刘肃杨建红李成
关键词：静电感应晶闸管SITH
静电感应晶体管(SIT)电性能的控制被引量：2
1998年
静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I－V特性，是个关键而且困难的问题．本文给出了上述参数控制的一般原则、方法，还给出了控制的判据，引人了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论．由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率，它更为适于低阻负载直接驱动电路．
李思渊刘瑞喜李海蓉
关键词：静电感应晶体管电性能SIT沟道长度
静电感应晶体管I-V特性的控制被引量：3
1998年
静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。
刘瑞喜李思渊
关键词：静电感应晶体管I-V特性SIT晶体管
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