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黄仕琴

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：兰州大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电参数
  • 3篇晶闸管
  • 3篇静电感应晶闸...
  • 2篇单晶
  • 2篇芯片
  • 2篇静电感应器件
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇扩散
  • 2篇衬底
  • 1篇结构参数
  • 1篇SITH
  • 1篇参数设计

机构

  • 5篇兰州大学

作者

  • 5篇黄仕琴
  • 4篇刘瑞喜
  • 4篇李思渊
  • 3篇薛传明
  • 2篇孟雄晖
  • 2篇刘肃
  • 2篇孙志军
  • 2篇芦小莹
  • 2篇任立
  • 2篇何山虎
  • 2篇梁元涛
  • 2篇杨建红
  • 2篇王林
  • 2篇张明兰
  • 2篇曹磊
  • 2篇毕祥林
  • 2篇马淑萍
  • 2篇马中华
  • 2篇姜岩峰
  • 2篇杨利成

传媒

  • 1篇电力电子技术
  • 1篇兰州大学学报...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 3篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨被引量：1
1999年
讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，以及电参数的工艺调节。设计了１００Ａ／１２００Ｖ的器件并给出了研制结果。
薛传明李思渊刘瑞喜黄仕琴
关键词：晶闸管静电感应晶闸管电参数参数设计
电力SITH电参数的控制及工艺调节
该文在分析SITH作用机理的基础上,阐述并讨论了SITH主要的电参数,对其正向压降与器件结构尺寸的关系作了进一步的完善.从工艺调节的角度分析了限制耐压容量的因素,提出了有效的解决措施.系统分析了结构参数、材料参数、工艺参...
黄仕琴
关键词：电参数静电感应晶闸管
文献传递
静电感应器件及其制造方法
本发明公开一种静电感应器件及其制造方法，特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层，再在绝缘层上刻出第一扩散窗口，以扩散或注入方式形成栅区及栅墙，在所有一次扩散区的表层进行补...
李思渊何山虎刘瑞喜孟雄晖刘肃杨建红姜岩峰孙志军王林马中华曹磊马淑萍芦小莹任立杨利成毕祥林黄仕琴薛传明张明兰梁元涛
文献传递
静电感应器件及其制造方法
本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补...
李思渊何山虎刘瑞喜孟雄晖刘肃杨建红姜岩峰孙志军王林马中华曹磊马淑萍芦小莹任立杨利成毕祥林黄仕琴薛传明张明兰梁元涛
文献传递
100A/1200V静电感应晶闸管的设计被引量：1
1999年
分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．
李思渊黄仕琴薛传明刘瑞喜张明兰梁元涛
关键词：静电感应晶闸管电参数结构参数SITH
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