您的位置： 专家智库 > >

夏志良

作品数：7 被引量：4H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇MOSFET
  • 3篇量子
  • 2篇短沟效应
  • 2篇三维模拟
  • 2篇双栅
  • 2篇体动力学
  • 2篇阈值电压
  • 2篇量子效应
  • 2篇流体动力学
  • 2篇晶体管
  • 2篇多栅
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇载流子
  • 1篇栅介质
  • 1篇时变击穿
  • 1篇势垒
  • 1篇输运

机构

  • 7篇北京大学

作者

  • 7篇夏志良
  • 6篇韩汝琦
  • 4篇刘恩峰
  • 3篇杜刚
  • 2篇刘弋波
  • 1篇韩德栋
  • 1篇徐博卷
  • 1篇任驰
  • 1篇曾朗
  • 1篇康晋锋
  • 1篇杨红

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇第二届全国纳...

年份

  • 2篇2007
  • 3篇2003
  • 2篇2002
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
纳米级MOSFET的模拟
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动...
刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦
关键词：半导体器件流体动力学量子效应场效应晶体管计算机模拟
文献传递
亚100nm多栅MOSFET的三维模拟
使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.
夏志良刘晓彦刘恩峰韩汝琦
关键词：阈值电压三维模拟短沟效应场效应晶体管
文献传递
双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型(英文)
2007年
通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型.这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证了模型结果.
徐博卷杜刚夏志良曾朗韩汝琦刘晓彦
关键词：双栅肖特基势垒阈值电压
纳米尺度MOS器件输运特性研究
随着微电子技术的快速发展，器件的特征尺寸在不断缩小。当器件的尺寸进入纳米尺度以后，一些新的物理效应，如准弹道输运、量子隧穿输运、高场非稳非本地输运、热载流子效应等等变的越来越显著，经典的漂移扩散模型和流体动力学模型已经无...
夏志良
关键词：量子隧穿锗蒙特卡罗模拟热载流子效应
Al_2O_3高k栅介质的可靠性被引量：2
2003年
利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容 ,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征 .击穿实验显示 ,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验中 ,Al2 O3栅介质表现出类似于SiO2 的软击穿现象 .不同栅压应力作用的测试结果表明 ,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素 ,其对应的介质击穿电荷QBD约为 30～ 60C/cm2 .
杨红康晋锋韩德栋任驰夏志良刘晓彦韩汝琦
关键词：高K栅介质可靠性时变击穿
亚100nm多栅MOSFET的三维模拟被引量：2
2003年
使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离)，双栅和三栅结构特性之间的差距变小。
夏志良刘晓彦刘恩峰韩汝琦
关键词：双栅MOSFETFINFET三维模拟短沟效应
纳米级MOSFET的模拟
2003年
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。
刘晓彦刘恩峰杜刚刘弋波夏志良韩汝琦
关键词：半导体器件模拟流体动力学量子效应MOSFET
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0