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夏晓翔

作品数:36 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 33篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 14篇刻蚀
  • 13篇纳米
  • 12篇金属
  • 8篇光刻
  • 7篇掩膜
  • 7篇衬底
  • 6篇金属结构
  • 5篇阵列
  • 5篇阵列结构
  • 4篇等离子体
  • 4篇牺牲层
  • 4篇离子束
  • 4篇离子束刻蚀
  • 4篇金属纳米
  • 4篇光刻胶
  • 4篇硅表面
  • 4篇发光
  • 4篇感应耦合
  • 4篇感应耦合等离...
  • 4篇衬底材料

机构

  • 36篇中国科学院

作者

  • 36篇夏晓翔
  • 35篇顾长志
  • 26篇杨海方
  • 25篇李俊杰
  • 15篇刘哲
  • 9篇尹红星
  • 8篇田士兵
  • 7篇金爱子
  • 6篇全保刚
  • 6篇孙旺宁
  • 4篇罗强
  • 4篇李林
  • 3篇孙伟杰
  • 2篇张异光
  • 2篇李无暇
  • 1篇刘宝利

传媒

  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 7篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2005
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氮化镓材料层表面粗化的方法
本发明公开了一种氮化镓材料层表面粗化的方法,包括:在所述氮化镓材料层的上表面形成一层掩膜,所述掩膜成形为在所述上表面分散分布的多个柱体;采用电感耦合等离子体刻蚀工艺,利用刻蚀气体对所述上表面进行刻蚀;其中,在将所述掩膜完...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
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一种金属纳米结构的制备方法
本发明提供一种金属纳米结构的制备方法,包括:在衬底上形成第一光刻胶层,并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构,其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度;在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层;在转移衬底...
李俊杰孙旺宁顾长志金爱子夏晓翔杨海方全宝刚李无暇
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一种金属纳米叉指光栅的制备方法
本发明公开了一种金属纳米叉指光栅的制备方法,其包括以下步骤:步骤A:在清洗好的衬底基片上,采用镀膜设备生长一定厚度的金属膜;步骤B:对所述金属膜旋涂光刻胶,采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅;步骤C:采用离子束刻蚀...
李俊杰孙伟杰李林全保刚夏晓翔顾长志
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在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法,其步骤包括:在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶,利用热板或烘箱对其进行烘烤;根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版;利用紫外光刻设备,采用...
杨海方尹红星顾长志刘哲夏晓翔
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一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法
本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法,在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶,利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形,得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品;利用蒸发工艺,在含有圆形体结构光刻胶阵...
杨海方刘哲顾长志夏晓翔尹红星
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一种制备纳米金属结构的方法
本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法,涉及金属纳米技术,通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构,能够实现相互分立的纳米金属线条,从而扩展了传统方法的应用范围,利用高温接触和低温剥离,大大提高了工艺的成功率与可靠性,更加有...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
一种制备自封闭纳米通道的方法
本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤A:对衬底进行清洗并烘干,在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层;步骤B:在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形;步骤C:采...
顾长志尹红星李俊杰田士兵全保刚夏晓翔杨海方
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一种金属纳米结构的制备方法
本发明提供一种金属纳米结构的制备方法,包括:在衬底上形成第一光刻胶层,并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构,其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度;在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层;在转移衬底...
李俊杰孙旺宁顾长志金爱子夏晓翔杨海方全宝刚李无暇
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一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法
一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法:将硅片放入ICP系统中,在基础真空1.0×10<Sup>-6</Sup>Torr,温度-100℃~-140℃,气体流量比(SF<Sub>6</Sub>/O<Sub>2</Sub>)...
孙旺宁李俊杰夏晓翔田士兵顾长志
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一种制备纳米金属结构的方法
本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法,涉及金属纳米技术,通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构,能够实现相互分立的纳米金属线条,从而扩展了传统方法的应用范围,利用高温接触和低温剥离,大大提高了工艺的成功率与可靠性,更加有...
夏晓翔刘哲杨海方李俊杰顾长志
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共4页<1234>
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