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尹红星

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 8篇刻蚀
  • 6篇光刻
  • 5篇光刻胶
  • 4篇金属
  • 4篇干法刻蚀
  • 3篇图形尺寸
  • 3篇紫外光刻
  • 3篇光提取效率
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇镀膜
  • 2篇旋涂
  • 2篇掩膜
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇球形
  • 2篇球形体
  • 2篇全内反射
  • 2篇牺牲层
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束刻蚀

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇尹红星
  • 11篇顾长志
  • 11篇杨海方
  • 9篇夏晓翔
  • 8篇刘哲
  • 2篇全保刚
  • 2篇李俊杰
  • 2篇田士兵
  • 1篇刘宝利

传媒

  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法
本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵...
杨海方刘哲顾长志夏晓翔尹红星
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一种在GaP表面制备锥状结构的方法
本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法，在GaP样品表面上旋涂光刻胶，利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形，得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品；利用金属镀膜设备，在含有孔状光刻胶阵列图形的样品...
杨海方刘哲顾长志尹红星夏晓翔
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利用特殊光学效应的紫外光刻制备三维微纳米结构
尹红星杨海方顾长志
关键词：紫外曝光菲涅尔衍射
三维微米凹球的制备方法
本发明提供了一种三维微米凹球的制备方法，包括如下步骤：在衬底上旋涂正型光刻胶并烘干；通过掩膜板采用紫外线对所述正型光刻胶进行曝光；对曝光后的正型光刻胶进行显影得到光刻胶图形，利用干法刻蚀将所述光刻胶图形转移到所述衬底上；...
顾长志尹红星杨海方刘哲
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在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用...
杨海方尹红星顾长志刘哲夏晓翔
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实现增强LED样品光提取效率的三维类球形结构及制备方法
本发明是一种三维类球形结构的制备方法，其步骤包括：在样品上旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对样品上的光刻胶进行前烘；根据所要制备的图形尺寸及形状并考虑邻近效应制备相应的掩膜版；利用紫外光刻机，采用欠曝光对样品进行曝光并显影处理...
杨海方尹红星顾长志祝传瑞刘哲夏晓翔刘宝利
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在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法
本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用...
杨海方尹红星顾长志刘哲夏晓翔
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一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法
本发明是一种在发光二极管表面制备纳米尺度球形体结构的方法，在发光二极管样品表面上旋涂光刻胶，利用纳米尺度图形在光刻胶上制备圆形体结构光刻胶阵列图形，得到含有圆形体结构光刻胶阵列样品；利用蒸发工艺，在含有圆形体结构光刻胶阵...
杨海方刘哲顾长志夏晓翔尹红星
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一种制备自封闭纳米通道的方法
本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采...
顾长志尹红星李俊杰田士兵全保刚夏晓翔杨海方
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一种在GaP表面制备锥状结构的方法
本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法，在GaP样品表面上旋涂光刻胶，利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形，得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品；利用金属镀膜设备，在含有孔状光刻胶阵列图形的样品...
杨海方刘哲顾长志尹红星夏晓翔
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