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孙力

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇MOCVD
  • 1篇铁电体
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉曼光谱研究
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱研究

机构

  • 3篇南京大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 3篇闵乃本
  • 3篇孙力
  • 3篇陈延峰
  • 2篇姜晓明
  • 2篇于涛
  • 2篇修立松
  • 1篇尹真
  • 1篇张明生
  • 1篇陈强
  • 1篇马文辉
  • 1篇修立松
  • 1篇姜晓明

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光散射学报
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜被引量：4
1996年
利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向的ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ３铁电薄膜，并通过Ｘ射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析．Ｘ射线θ－２θ扫描显示硅衬底上得到了ＰｂＴｉＯ３多晶薄膜，另两种衬底上得到了择优取向的ＰｂＴｉＯ３薄膜．ＬａＡｌＯ３衬底上的ＰｂＴｉＯ３薄膜有ａ和ｃ两个取向，也就是薄膜中存在着９０°畴结构，而生长在ＳｒＴｉＯ３衬底上的ＰｂＴｉＯ３薄膜中只存在ｃ方向的择优取向．由于薄膜的尺度效应，发现ｃ轴晶格常数与块材相比均缩短．Ｘ射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性，利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质，进一步证明了ＳｒＴｉＯ３衬底上的ＰｂＴｉＯ３薄膜的单畴特性．利用重掺杂的硅衬底作底电极。
孙力陈延峰于涛于涛姜晓明闵乃本
关键词：钛酸铅铁电薄膜MOCVD
MOCVD制备PbTiO_3铁电薄膜的研究被引量：4
1997年
由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用，使铁电薄膜的制备成为研究热点。本文报道了利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单晶衬底上制备ＰｂＴｉＯ３铁电薄膜的工作。通过Ｘ射线衍射、ＡＦＭ和Ｒａｍａｎ光谱对薄膜的微结构进行分析，在ＳｒＴｉＯ３衬底上获得了单畴、多畴等几种畴结构组态，从实验上证实了铁电薄膜中畴的形成与薄膜的厚度有关；得到了铁电薄膜邻位面台阶生长的实验证据；对薄膜的晶格畸变，晶格振动及自发极化的测量发现，ＰｂＴｉＯ３薄膜具有明显的“铁电弱化”现象。对上述现象。
陈延峰孙力于涛闵乃本姜晓明修立松
关键词：铁电薄膜铁电体MOCVD
有机化学气相沉积的钛酸铅铁电薄膜的拉曼光谱研究
1995年
有机化学气相沉积的钛酸铅铁电薄膜的拉曼光谱研究马文辉，张明生，孙力，尹真，陈强，陈延峰，闵乃本（南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉＳｓｔｕｄｙｏｆＰｂＴｉＯ＿３ＴｈｉｎＦｉｌｍｓｂｙＭｅｔａｌｏｒ...
马文辉张明生孙力尹真陈强陈延峰闵乃本
关键词：钛酸铅铁电薄膜拉曼光谱
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