季燕菊
- 作品数：16 被引量：22H指数：2
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- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信建筑科学更多>>
- 白口铸铁磨面辊齿等离子弧重熔组织和耐磨性被引量：3
- 2009年
- 利用等离子弧重熔技术对离心铸造白口铸铁磨面辊齿面进行强化处理,借助光学显微镜和洛氏硬度计观察测试重熔层的组织结构及硬度,并对重熔前后试样表面的耐磨性进行了对比试验。试验结果表明:辊齿经等离子弧重熔组织由亚共晶白口转变为共晶和过共晶的混合组织,拉齿破坏的离心铸造的"流线的连续性"得到恢复,辊齿齿顶的硬度由原来HRC58～60提高到了HRC64～65,耐磨性是重熔前的2～3倍。
- 王萌萌王国凡苗磊季燕菊任光利
- 关键词：白口铸铁离心铸造等离子弧重熔耐磨性
- 一种用于固体激光器的散热装置
- 本发明公开了一种用于固体激光器的散热装置，包括散热器整体结构，所述散热器整体结构包括激光器降温板、激光器散温筒、降温板风机、导水软管和降温循环泵，所述降温板风机通过螺栓固定在激光器降温板的一侧，本发明采用水冷式对固体激光...
- 陈莹季燕菊赵燕杰
- 钕离子注入硅晶体的横向离散研究
- 2009年
- 利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时,需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散.介绍了用400 keV能量的Nd离子分别垂直和倾斜60o角注入两块相同的Si晶体样品中,利用卢瑟福背散射技术研究了400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd离子注入Si晶体的横向射程离散.测出的实验值和TRIM’98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM’98模拟计算的理论值能较好地符合.
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法
- 本发明涉及一种离子注入制备掺铒碳化硅光波导的方法，依次包括晶体抛光清洗、注入氧离子、退火、注入铒离子、退火的步骤最终得到掺铒碳化硅波导。通过将SOI半导体工艺应用于制备掺铒碳化硅光波导的二氧化硅下包层的过程，生成一层进化...
- 付刚张秀全季燕菊秦希峰
- 文献传递
- DNA损伤的密度泛函计算和分子动力学模拟
- 本文主要对DNA损伤的密度泛函计算和分子动力学模拟进行研究，文章通过从头计算方法中的密度泛函计算研究·OH自由基和四个碱基的反应、脱氧核糖五个脱氢自由基的结构和能量、以及脱氧核糖脱氢对各DNA碱基脱落和DNA链断裂的影响...
- 季燕菊
- 关键词：电离辐射DNA损伤分子动力学OH自由基DNA修复酶
- 文献传递
- V掺杂ZnO性质的第一性原理研究
- 2012年
- 采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同浓度的V掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度。计算表明,V的掺杂导致ZnO晶格发生了微小膨胀,禁带宽度变窄,体系引入的杂质能级靠近导带底,费米能级进入了导带并且穿插在杂质能级中,自旋态密度分布具有不对称性,自旋向上的电子数比自旋向下的电子数多,对态密度进行积分后发现V掺杂ZnO体系表现出净磁矩,具有磁性。当V掺杂后,V-3d态电子与O-2p态电子的态密度分布大部分重合,形成了pd杂化。
- 王丽丽季燕菊付刚
- 关键词：密度泛函理论第一性原理
- 自旋极化有机电致发光器件中单线态与三线态激子的形成及调控被引量：1
- 2010年
- 由于有机半导体(OSC)材料自旋弛豫时间长、自旋扩散长度大,OSC自旋器件逐渐成为研究热点.对于有机电致发光器件(OLED),通过自旋极化电极调控单线态和三线态激子比率是提高其效率的有效方法.本文从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合朗之万定律建立了一个自旋注入、输运、复合的理论模型.计算了OSC中的极化电子、空穴浓度,得出了单线态和三线态激子的比率.分析了电场强度、自旋相关界面电导、电极和OSC电导率匹配和电极极化率等因素的影响.计算结果表明:两电极注入反向极化的载流子并提高载流子自旋极化率,有利于提高单线态和三线态激子的比率;自旋相关界面电阻、正向电场强度和电极自旋极化率的提高,电极和OSC电导率的匹配,有利于提高注入载流子浓度极化率,进而提高单线态和三线态激子比率和OLED的荧光效率.
- 乔士柱赵俊卿贾振锋张宁玉王凤翔付刚季燕菊
- 关键词：有机电致发光器件载流子复合
- OH自由基与腺嘌呤反应的密度泛函研究被引量：2
- 2007年
- 采用密度泛函方法研究了.OH自由基与腺嘌呤的5个加合反应.计算表明,在.OH自由基与腺嘌呤的反应中,.OH自由基攻击腺嘌呤C4、C5和C8位置的反应几率大于别的反应.
- 季燕菊焦杨
- 关键词：DNA腺嘌呤密度泛函理论
- C_(10)H_(18)N_2O_4Pt结构和性质的密度泛函理论研究被引量：1
- 2009年
- C10H18N2O4Pt是奥沙利铂的一种新型的衍生物。采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法研究C10H18N2O4Pt的全优化构型、电子结构和IR谱;6-31++G**基组用于计算非金属原子,金属原子则采用赝势基组lanl2dz计算。分析了红外振动频率并以0.96为频率校正因子对频率进行修正。根据计算可知,分子中N16和N20原子有强的亲核活性,Pt19原子有强的亲电活性,得到了C10H18N2O4Pt分子的HOMO轨道图和IR谱。这些为进一步研究C10H18N2O4Pt提供了理论依据。
- 刘小村季燕菊
- 关键词：密度泛函理论奥沙利铂几何构型
- 铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
- 2009年
- 用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
