赵优美
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 钕离子注入硅晶体的横向离散研究
- 2009年
- 利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时,需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散.介绍了用400 keV能量的Nd离子分别垂直和倾斜60o角注入两块相同的Si晶体样品中,利用卢瑟福背散射技术研究了400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd离子注入Si晶体的横向射程离散.测出的实验值和TRIM’98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM’98模拟计算的理论值能较好地符合.
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
- 2009年
- 用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 二维硅基三角形气孔光子晶体的带隙分析被引量：1
- 2010年
- 研究了以硅为背景介质周期性排列的等边三角形气孔构成的三角晶格二维光子晶体,把平面波展开法用于光子晶体能带结构的数值研究,分别改变等边三角形气孔边长、晶格常数和晶格基元旋转角度,研究带隙变化规律。研究结果表明:三角形气孔边长、晶格常数和晶格基元旋转角度的适当改变可以使光子晶体出现完全带隙,优化结构参数给出了一个完全带隙。
- 赵优美李双王凤翔秦希峰
- 关键词：光子晶体三角晶格平面波展开法完全带隙
- 基于SOI平板光子晶体的理论研究
- 光子晶体,又称为光子禁带材料,是将不同介电系数的材料在空间按照一定的周期/(尺寸在光波长量级/)排列所形成的一种人造“晶体”结构。类似于半导体材料中电子在周期性势场作用下形成能带结构,由于受到介电系数周期性的调制,在光子...
- 赵优美
- 关键词：光子晶体光子禁带平面波展开法时域有限差分法SOI完全带隙
- 文献传递
- 铒离子注入6H-SiC的横向离散研究
- 2010年
- 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的400keVEr离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.
- 秦希峰王凤翔梁毅付刚赵优美
- 关键词：离子注入6H-SIC
- 铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散
- 2010年
- 鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。用SRIM2006模拟软件对能量为400 keV的Er+离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美梁毅
- 关键词：离子注入6H-SIC
