庄春泉
- 作品数：15 被引量：26H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- 退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响
- 本文采用光致发光(PL)和X射线光电子能谱仪(XPS)相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,对硫化和硫化加退火引起的PL光谱的变化作出了解释,得到了硫化和硫化加退火对硫化的InP表面性...
- 庄春泉汤英文龚海梅
- 关键词：光致发光表面钝化硫化
- 文献传递
- 碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究被引量：2
- 2005年
- 利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能。
- 汤英文庄春泉许金通游达李向阳龚海梅
- 关键词：光电子谱HGCDTE电学性质
- 退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响被引量：1
- 2005年
- 文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况。
- 庄春泉汤英文龚海梅
- 关键词：光致发光X射线光电子能谱硫化
- Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面研究被引量：1
- 2005年
- 研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性。在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×10-5Ω·cm2。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质。实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金。退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小势垒宽度,有助于欧姆接触的形成;在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区,同时Au与InP反应生成Au2p3,其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV。
- 李萍刘诗嘉陈江峰庄春泉黄杨程张燕龚海梅
- 关键词：俄歇电子能谱X射线光电子能谱欧姆接触
- 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar<Sup>+</Sup>离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层...
- 吕衍秋韩冰李萍庄春泉吴小利陈江峰龚海梅
- 文献传递
- 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar<Sup>+</Sup>离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层...
- 吕衍秋韩冰李萍庄春泉吴小利陈江峰龚海梅
- 文献传递
- 微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性被引量：1
- 2006年
- 外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致。寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小。-μPCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要。
- 吕衍秋王妮丽庄春泉韩冰李向阳龚海梅
- 关键词：均匀性INGAAS载流子寿命焦平面阵列
- 退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响
- 文章采用光致发光(PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳...
- 庄春泉汤英文龚海梅
- 关键词：光致发光X射线光电子能谱退火
- 文献传递
- 表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命。利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化。结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D*优于常规方法制作的器件。
- 汤英文朱龙源游达许金通刘诗嘉庄春泉李向阳龚海梅
- 关键词：HGCDTE阳极氧化俄歇电子能谱
