汤英文
- 作品数：47 被引量：143H指数：6
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- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片
- 本发明属于发光二极管技术领域，公开了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，设置有P面；P面先生长一层SiO<Sub>2</Sub>或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO<Sub>2</Sub>或ITO的孔，孔里形成P...
- 汤英文
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- 退火对硫化后的P+型InP表面性能的影响
- 本文采用光致发光(PL)和X射线光电子能谱仪(XPS)相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,对硫化和硫化加退火引起的PL光谱的变化作出了解释,得到了硫化和硫化加退火对硫化的InP表面性...
- 庄春泉汤英文龚海梅
- 关键词：光致发光表面钝化硫化
- 文献传递
- 半导体芯片的制造方法
- 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在复合衬底上生长有结构的半导体薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻，定义出图形后刻蚀，刻蚀到腐蚀层，去掉光刻胶，清洗，依次形成反射欧姆接触层、阻挡保护层，键合层，得到结构II；...
- 汤英文
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- 碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究被引量：2
- 2005年
- 利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面的硫化特性进行了研究,发现溴腐蚀后的表面硫化处理可以去掉表面的氧化层,Te富集的程度大大减少,硫化处理后再长硫化锌对器件进行钝化,可以大大减少器件的表面漏电,增加器件工作电压和提高器件性能。
- 汤英文庄春泉许金通游达李向阳龚海梅
- 关键词：光电子谱HGCDTE电学性质
- 高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究
- 文中利用X射线三轴衍射测试手段对高Al(x≥0.45)含量p-i-n结构的AlxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对AlxGa1-xN外延材料进行评价.首先通过对RSM的定性分析,给出多...
- 游达王庆学汤英文龚海梅
- 关键词：ALGAN
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- 具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
- 本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀...
- 汤英文
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- 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器被引量：8
- 2006年
- 研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。
- 游达汤英文赵德刚许金通徐运华龚海梅
- 关键词：P-I-N响应光谱紫外探测器
- 一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法
- 本发明属于半导体领域，公开了一种半导体外延用的柔性复合衬底及制造方法，取两片厚度为100微米‑1000微米抛光的硅片，每片的抛光面蒸发或溅射上0.1微米‑5微米的金属铝，然后通过两片硅片上的铝贴合在一起进行高温键合，将两...
- 汤英文
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- 具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
- 本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀...
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- 量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响被引量：1
- 2016年
- 在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为Ga N、In0.05Ga0.95N/Al0.1Ga0.9N/In0.05Ga0.95N、In0.05Ga0.95N/Ga N/In0.05Ga0.95N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下:在低温(13 K)大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B>A≈C;在高温(300 K)小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为A>B>C。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现"S"型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。
- 汤英文熊传兵井晓玉
- 关键词：绿光LED电致发光硅衬底MOCVD
