张丽平
- 作品数：38 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1
- 2021年
- 基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4~736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99~38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%~81.07%)及转换效率(Eff,22.04%~22.79%)均得到明显提升。
- 陈仁芳张丽平张丽平李振飞吴卓鹏刘正新
- 关键词：非晶硅薄膜缺陷态
- 不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法
- 本发明提供一种不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法，不连续结晶硅基薄膜制备包括：提供一晶体硅衬底；于晶体硅衬底的至少一个表面沉积不连续结晶硅基薄膜，其包括无定形硅基结构和结晶化硅基结构。通过上述方案，本发明...
- 张丽平刘正新陈仁芳吴卓鹏
- 文献传递
- 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
- 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；...
- 刘正新孟凡英张丽平石建华俞健刘金宁刘毓成
- 基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置
- 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；...
- 刘文柱陈仁芳吴卓鹏张丽平孟凡英刘正新
- 文献传递
- 一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用
- 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄...
- 张丽平李振飞刘正新孟凡英石建华韩安军杜俊霖
- 文献传递
- 掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法
- 本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗...
- 张丽平孟凡英刘正新
- 文献传递
- 非晶薄膜后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法
- 本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法，后氢化处理方法包括：提供一待处理非晶薄膜，并将其置于一设置有热丝的反应腔室中；向反应腔室中通入反应气体，热丝催化分解反应气体至少产生氢原子，并对待处理非晶...
- 刘正新陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞
- 文献传递
- 一种太阳电池的制备方法以及由此得到的太阳电池
- 本发明涉及一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1，分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片，其中，在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝，然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜，其中，太阳电池芯片具有导电层；S2，将金属...
- 石建华孟凡英张丽平韩安军杜俊霖刘正新
- 文献传递
- 分光椭偏技术在铟锡氧薄膜光电特性研究中的应用被引量：3
- 2014年
- 通过分光椭偏测量技术、并采用Drude和Tauc-Lorentz复合模型,研究了铟锡氧(ITO)薄膜在不同基底温度和退火过程中光学介电函数的变化。通过与霍尔效应以及光学带隙测试的数据对比,发现ITO薄膜的载流子浓度和光学带隙变化分别对材料红外和紫外波段光学介电函数有影响。通过分别研究材料在低能端和高能端的介电函数,得到光学介电函数与薄膜的载流子浓度和光学带隙的关系。该研究确定了利用非接触分光椭偏技术对ITO薄膜的电学和光学特性进行定量分析的近似方法。
- 胡慧张丽平孟凡英刘正新
- 关键词：ITO薄膜光电性质介电函数
- 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法
- 本发明涉及一种光调制化学气相沉积装置，腔室为反应气体提供密闭空间，衬底为设置于腔室内的透明或半透明衬底，辉光发生触发源设置于腔室内的衬底的前方并作用于反应气体使其产生辉光以在衬底的面向辉光发生触发源的表面沉积功能薄膜，光...
- 张丽平刘文柱刘正新李振飞杜俊霖
