孟凡英
- 作品数：71 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理理学电子电信更多>>
- 氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1
- 2021年
- 基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4~736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99~38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%~81.07%)及转换效率(Eff,22.04%~22.79%)均得到明显提升。
- 陈仁芳张丽平张丽平李振飞吴卓鹏刘正新
- 关键词：非晶硅薄膜缺陷态
- 银粉对硅异质结太阳电池用低温银浆的影响综述
- 2024年
- 银浆是硅异质结太阳电池的重要材料,更低的体积电阻率和接触电阻、良好的附着力、优良的细线印刷性能及组件栅线抗腐蚀老化是其不断改进的方向。作为导电相,银粉的性能和含量对银浆有着至关重要的影响。该文基于低温固化银浆导电机理以及SHJ电池对银浆性能的追求,综述了银粉的振实密度、形貌、粒径、表面处理剂及其与有机物的适配。进一步探讨了纳米银粉和银包铜粉在SHJ太阳电池用低温银浆中的应用。
- 王光远韩安军刘文柱赵文婕王栋良敖毅伟冈本珍范孟凡英刘正新
- 关键词：银粉表面处理振实密度
- 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
- 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；...
- 刘正新孟凡英张丽平石建华俞健刘金宁刘毓成
- 自然光条件下光伏组件模型改进研究
- 2014年
- 为了使太阳电池的二极管模型更好地适用于户外自然光条件,结合实测参数,改进已有的温度模型和照度模型,给出了一种利用短路电流ISC、开路电压VOC、最大功率点电压Vmpp、最大功率点电流Impp确立模型参数、光照强度和组件温度,确定I-V输出的光伏输出预测模型。采集了屋顶光伏系统的环境参数(照度G-温度T)和电气参数(输出I-V曲线)作为实测参考。在给定光照-温度(G-T)情况下,计算现有模型和改进模型的ISC、VOC输出预测值,与实测参考值进行比较,发现改进模型的预测值更接近于实测值。采用Matlab-Simulink进行模拟,可以得到任意照度和温度下的I-V曲线,通过模拟曲线与真实测量曲线进行对比,发现有较好的吻合度。因此改进模型能够在给定光照和温度数据下,更准确地预测光伏组件输出。
- 李红飞周健刘毓成孟凡英刘正新
- 关键词：光照强度
- 具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法
- 本发明提供一种具有叠层减反特性的晶体硅异质结太阳电池及其制备方法，所述制备方法包括：步骤1），表面具有透明导电层的硅异质结光伏结构；步骤2），于所述透明导电层表面形成金属栅线；步骤3），于所述金属栅线顶部及透明导电层表面...
- 俞健卞剑涛张丽平刘毓成孟凡英刘正新
- 湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法
- 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上...
- 俞健邱羽孟凡英刘正新
- 文献传递
- 异质结太阳电池中非晶钝化层的分光椭偏分析被引量：3
- 2015年
- 采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相拟合,研究了a-Si:H/c-Si界面层内部的缺陷散射周期(St)、a-Si:H体内孔隙率以及薄膜介电函数峰值随基底温度的变化规律。通过与傅里叶红外转换光谱计算得到的微结构数据对比,发现界面层的St与薄膜内部Si H和Si H2含量相关。依据高分辨率透射电镜(TEM)下呈现的形貌特征、有效少子寿命和异质结的implied开路电压等参数的辅助证明,确定SE技术作为一种有效的光学表征手段,能准确快速地判断a-Si:H对c-Si表面的钝化性能,继而定量给出适合晶体硅异质结太阳电池高质量a-Si:H钝化层生长的最优参数。
- 郭万武张丽平包健孟凡英陈奕峰冯志强刘正新
- 关键词：氢化非晶硅薄膜介电函数光电特性异质结太阳电池
- 工作气压对反应等离子体沉积ITO薄膜性能的影响
- 本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退...
- 石建华孟凡英崔艳峰陆忠丹刘正新
- 关键词：ITO
- 镀膜设备
- 本实用新型提供一种镀膜设备，所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特...
- 石建华孟凡英刘正新
- 文献传递
- H2Se/H2S硒硫化制备超薄铜铟镓硒硫太阳电池的研究
- 阐述了共溅射制备金属预制层，由于In熔点较低，薄膜表面存在较多凸起聚集物。经过低温硒化，薄膜表面粗糙度有所改善，但结晶质量较差，且存在合金相和二元相。高温退火处理加速元素间反应，薄膜为单一黄铜矿结构，结晶质量明显改善，带...
- 韩安军黄勇亮王宪柳效辉褚家宝孟凡英刘正新
- 关键词：太阳电池
