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张书玉

作品数:8 被引量:40H指数:3
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇SOI
  • 3篇单晶
  • 3篇压力传感器
  • 3篇力传感器
  • 3篇感器
  • 3篇高温压力传感...
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇有限元
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇光谱
  • 2篇硅单晶
  • 2篇红外
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 2篇TMAH
  • 1篇单晶片
  • 1篇直接键合
  • 1篇直拉法

机构

  • 8篇河北工业大学
  • 4篇天津大学

作者

  • 8篇张书玉
  • 5篇张维连
  • 3篇蒋中伟
  • 3篇牛新环
  • 2篇张生才
  • 2篇姚素英
  • 2篇索开南

传媒

  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
TMAH腐蚀液腐蚀硅杯的研究与分析
TMAH是一种新型的性能优异的各向异性腐蚀液,本文给出了TMAH腐蚀硅杯的原理通过实验研究了硅片被TMAH溶液腐蚀后的粗糙度以及腐蚀速率,并讨论了在腐蚀过程中由凸角结构产生的削角现象.
张书玉张维连索开南张生才姚素英
关键词:TMAH腐蚀速率
文献传递
SOI高温压力传感器的研究现状被引量:10
2005年
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.
张书玉张维连张生才姚素英
关键词:压力传感器SOI各向异性腐蚀硅片直接键合硅单晶片
SOI高温压力传感器的研究
本文研制出了压力满量程为0~1MPa、工作温度范围在0~220℃的SOI高温压力传感器。 分析了SOI材料的结构、制备方法及SOI材料的特性。利用有限元分析法对不同形状不同条件下C型、E型、双岛...
张书玉
关键词:压力传感器高温SOI有限元TMAH灵敏度
文献传递
掺锗对直拉硅单晶的红外吸收光谱的影响
采用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的常温和低温红外吸收光谱.发现高浓度Ge的掺入在Si中引起了710cm<'-1>和800cm<'-1>等新吸收峰的出现,随Ge含量的增加这些峰的吸收强度也逐渐增强...
蒋中伟张维连牛新环张书玉
关键词:直拉法掺锗红外光谱
文献传递
SOI高温压力传感器的研究被引量:27
2006年
介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。
张书玉张维连索开南牛新环张生才姚素英
关键词:压力传感器SOI灵敏度有限元
CZSiGe单晶的FTIR光谱研究
2005年
利用傅立叶红外光谱(FTIR)测试技术,研究了掺锗CZSi的低温和常温红外吸收光谱。发现高浓度Ge掺入CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为1118cm-1、710cm-1和800cm-1的新红外吸收峰,这些峰的吸收强度随Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰(607cm-1)则向低频方向移动。同时利用X射线单晶衍射技术(SCXRD)测定了SiGe(Ge:10wt%)单晶的晶格常数,结果表明晶格常数由Si单晶的0.54305nm变为0.5446nm。
蒋中伟张维连牛新环张书玉
关键词:红外光谱
SixGe1-x合金材料热电转换性能的研究
本文以Si、Ge单晶作比较样品系统地研究了300-900K温度(T)范围内不同Ge含量(x)SiGe单晶和多晶的Seebeck系数、热导率.比较了SiGe合金温差电优值Z在300-900K的温度范围内随x和T的变化.讨论...
索开南张维连蒋中伟张书玉
关键词:热导率SEEBECK系数SI单晶
文献传递
SOI材料的发展动态
由于SOI材料具有自隔离,体漏电小,寄生电容小,抗辐射,无体硅闩锁效应等特点,被公认是21世纪替代体硅的新型信息材料。本文主要简要地介绍了SOI材料的主要性能特点以及国内外SOI材料制备的几种主要方法。并指出Smart-...
张书玉张维连索开南张生才姚素英
关键词:SOISMART-CUTSIMOXSDB
文献传递
共1页<1>
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