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Al掺杂Ⅷ型Sn基单晶笼合物载流子调制对其热电传输特性的影响被引量：1: 2014年; 本文采用Sn自熔剂法,通过调节Ga的起始含量（Ba∶Ga∶Al∶Sn=8∶x∶6：50;x=10,20,30）实现对载流子进行调制,制备出具有p型和n型传导的Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究。研究结果表明,随着Ga起始含量的增加,Al在化合物中的固溶度减小,材料的晶格常数也随之减小;x=10的样品Seebeck系数全部为负值,x=30的样品Seebeck系数全部为正值,而x=20的样品在450 K后由于本征激发Seebeck系数显著降低,在550 K附近由p型传导转变为n型传导;室温下具有p型传导的化合物具有较高的载流子浓度,但其迁移率显著降低,从而导致其相应的化合物具有较高的电阻率,因此通过对Ga起始含量的改变能够对化合物的载流子实现有效调控;此外,在300~600 K内均具有p型传导的样品室温下的载流子有效质量较n型样品的高;通过估算的热导率κ、实测电阻率和Seebeck系数,计算出x=30的p型单晶样品在457 K处获得最大ZT值0.86。; 申兰先李德聪邓书康孟代仪晒旭霞刘祖明

Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性被引量：6: 2013年; 采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VIII型Ba8Ga16 xGexSn30(0 x 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.; 孟代仪申兰先晒旭霞董国俊邓书康; 关键词：热电性能

Sn基Ⅷ型笼合物Ba_8Ga_(16)Sn_(30)热电材料研究进展: 2015年; Ⅷ型Sn基笼合物Ba8Ga16Sn30由于具有优异的热电传输特性而被认为是最具有应用前景的热电材料之一。介绍了Ⅷ型Sn基笼合物的晶体结构、合成方法及理论和实验方面的研究情况,并对有关研究进展进行评述,同时提出进一步研究该笼合物的一些建议。; 申兰先刘祖明邓书康孟代仪晒旭霞; 关键词：热电材料热电性能

单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜被引量：2: 2013年; 本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理。结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5 h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si(111)择优取向。样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长。退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20μm。然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5 h后,薄膜依然是非晶硅状态。差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜。; 孙启利邓书康申兰先胡志华李德聪晒旭霞孟代义; 关键词：多晶硅薄膜非晶硅电子束蒸发

β-Zn4Sb3单晶热电材料的制备、热稳定性及电传输特性研究: 近二十年,由于环境污染和能源危机使得新清洁能源的开发和利用成为世界各国关注的焦点,热电材料也因此受到了人们的广泛关注。其中p型β-Zn4Sb3以其价格低廉、环境友好及性能优越等特点成为最具应用前景的中温（400-700K...; 晒旭霞; 关键词：热电材料热稳定性电传输特性; 文献传递

Mg掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的结构及电传输特性被引量：3: 2014年; 本文采用Sn自熔剂法,制备Mg掺杂Sn基单晶笼合物Ba8Ga16-XMgXSn30(0 X 1.5),并对其结构及电传输性能进行研究.结果表明所制备化合物为具有空间群Iˉ43m的VIII型单晶笼合物,随Mg掺杂量的增加,对应化合物的熔点略有升高,晶格常数减小,掺杂样品中填充原子Ba的实际含量低于理想值8.0,其在十二面体空洞中的占有率约为0.93(Mg的名义含量X=1.5时).所有样品均表现为n型传导,Mg的掺入对材料的能带结构有一定影响,Mg掺杂后,样品的载流子浓度降低,Seebeck系数的绝对值、电阻率增加,Mg的名义含量X=1.5时,样品的功率因子在430 K附近取得最大值1.26×10-3W·m-1·K-2.; 孟代仪申兰先李德聪晒旭霞邓书康; 关键词：单晶

一种β-Zn4Sb3单晶热电材料的制备方法: 本发明涉及一种制备β-Zn4Sb3单晶材料的方法，属半导体热电材料领域。采用以下步骤实施：A)采用Sn熔剂法，将上述三种元素按一定的配比称量后放入坩锅内；B)采用真空或惰性气体...; 邓书康晒旭霞孟代仪申兰先董国俊郝瑞亭; 文献传递

低温制备pin 非晶硅太阳电池p 型纳米硅窗口层: PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(3...; 胡志华李明杨培智邓书康郝瑞亭王书荣姚朝晖孙启利晒旭霞

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晒旭霞