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董国俊

作品数：3 被引量：7H指数：1
供职机构：云南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇熔剂法
  • 1篇热电材料
  • 1篇热电性能
  • 1篇晶化
  • 1篇缓冷
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶硅
  • 1篇覆盖层
  • 1篇N型
  • 1篇SN
  • 1篇SUB
  • 1篇II型
  • 1篇SB

机构

  • 3篇云南师范大学

作者

  • 3篇邓书康
  • 3篇董国俊
  • 2篇申兰先
  • 2篇晒旭霞
  • 1篇侯德东
  • 1篇郝瑞亭
  • 1篇刘虹霞
  • 1篇李明
  • 1篇杨晓坤

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究被引量：1
2015年
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5 h。采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究。结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著。具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5 h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm。将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm。与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃。
邓书康董国俊杨晓坤刘虹霞侯德东李明
关键词：多晶硅薄膜电子束蒸发非晶硅
Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性被引量：6
2013年
采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VIII型Ba8Ga16 xGexSn30(0 x 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.
孟代仪申兰先晒旭霞董国俊邓书康
关键词：热电性能
一种β-Zn<Sub>4</Sub>Sb<Sub>3</Sub>单晶热电材料的制备方法
本发明涉及一种制备β-Zn<Sub>4</Sub>Sb<Sub>3</Sub>单晶材料的方法，属半导体热电材料领域。采用以下步骤实施：A)采用Sn熔剂法，将上述三种元素按一定的配比称量后放入坩锅内；B)采用真空或惰性气体...
邓书康晒旭霞孟代仪申兰先董国俊郝瑞亭
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