朱剑云
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响
- 2013年
- 采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。
- 李育强刘璐朱剑云徐静平
- 关键词：氧化钆
- 退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器特性的影响被引量：1
- 2013年
- 采用反应溅射法,分别制备以LaTiON,HfLaON为存储层的金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅电容存储器,研究了淀积后退火气氛(N2,NH3)对其存储性能的影响.分析测试表明,退火前LaTiON样品比HfLaON样品具有更好的电荷保持特性,但后者具有更大的存储窗口(编程/擦除电压为+/12V时4.8V);对于退火样品,由于NH3的氮化作用,NH3退火样品比N2退火样品表现出更快的编程/擦除速度、更好的电荷保持特性和疲劳特性.当编程/擦除电压为+/-12V时,NH3退火HfLaON样品的存储窗口为3.8V,且比NH3退火LaTiON样品具有更好的电荷保持特性和疲劳特性.
- 朱剑云刘璐李育强徐静平
- 关键词：退火
