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杨敏
作品数:
6
被引量:20
H指数:4
供职机构:
复旦大学物理学系李政道物理学综合实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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黄大鸣
复旦大学物理学系李政道物理学综...
王迅
复旦大学物理学系应用表面物理国...
侯晓远
复旦大学物理学系应用表面物理国...
张甫龙
复旦大学物理学系应用表面物理国...
龚大卫
复旦大学物理学系应用表面物理国...
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重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究
被引量:1
1995年
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Fano相互作用理论为基础,对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式,结合霍耳效应测量,得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度p之间的关系曲线为T=2.54p ̄0.408,其中Г,p分别是以cm ̄(-1)和10 ̄19cm ̄(-3)为单位。提供了用喇曼光谱测量重掺硼分子束外延材料自由载流子浓度的测量的定标曲线。
王建宝
袁健
杨敏
黄大鸣
陆方
孙恒慧
关键词:
掺硼
硅
散射谱
分子束外延
Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究
被引量:5
1995年
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
杨宇
卢学坤
黄大鸣
蒋最敏
杨敏
章怡
龚大卫
陈祥君
胡际璜
张翔九
赵国庆
关键词:
硅锗合金
发光材料
分子束外延
多孔硅发光稳定性的改进
被引量:4
1994年
采用在热HNO,中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法,我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用SEM和FTIR对其特性进行了研究。
张甫龙
侯晓远
杨敏
黄大鸣
王迅
关键词:
多孔硅
发光
稳定性
空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响
被引量:6
1994年
发光多孔硅的喇曼光谱在520cm ̄(-1)附近呈现一锐峰,峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形,发现除了光学声子的空间限制效应,硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变,与已报道的X射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。
杨敏
黄大鸣
郝平海
张甫龙
侯晓远
王迅
关键词:
多孔硅
发光
散射谱
快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
1994年
对快速退火后用共蒸发B_2O_3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当;外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭,获得了晶体质量良好的外延层.
袁健
陆昉
孙恒慧
卫星
杨敏
黄大鸣
徐宏来
沈鸿烈
邹世昌
关键词:
分子束外延
快速退火
电学性质
SiGe/Si量子阱结构材料的激子发光谱
被引量:4
1994年
在用分子束外延生长的SiGe/Si多量子阱结构中,观察到激子发光光谱,从无声子参与的或TO-声子参与的激子发光峰位能量,计算了量子阱中合金的组份,并与通过X-射线衍射谱得到的结果作了比较,发现在Ge的组份比较小时,利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用X-射线衍射谱更为方便和精确.
黄大鸣
杨敏
盛篪
卢学坤
龚大卫
张翔九
王迅
关键词:
SIGE/SI
激子
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