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杨敏

作品数：6 被引量：20H指数：4
供职机构：复旦大学物理学系李政道物理学综合实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教委资助优秀年轻教师基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇发光
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇多孔硅
  • 2篇散射
  • 2篇散射谱
  • 2篇喇曼
  • 2篇光谱
  • 2篇掺硼
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性质
  • 1篇制备及特性
  • 1篇退火
  • 1篇稳定性
  • 1篇快速退火
  • 1篇喇曼光谱
  • 1篇激子
  • 1篇光材料
  • 1篇光谱研究

机构

  • 6篇复旦大学

作者

  • 6篇杨敏
  • 6篇黄大鸣
  • 3篇王迅
  • 2篇卢学坤
  • 2篇张甫龙
  • 2篇袁健
  • 2篇张翔九
  • 2篇侯晓远
  • 2篇龚大卫
  • 1篇蒋最敏
  • 1篇陆昉
  • 1篇徐宏来
  • 1篇郝平海
  • 1篇杨宇
  • 1篇章怡
  • 1篇邹世昌
  • 1篇盛篪
  • 1篇陈祥君
  • 1篇王建宝
  • 1篇卫星

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 2篇1995
  • 4篇1994
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究被引量：1
1995年
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式，结合霍耳效应测量，得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度ｐ之间的关系曲线为Ｔ＝２．５４ｐ￣０．４０８，其中Г，ｐ分别是以ｃｍ￣（－１）和１０￣１９ｃｍ￣（－３）为单位。提供了用喇曼光谱测量重掺硼分子束外延材料自由载流子浓度的测量的定标曲线。
王建宝袁健杨敏黄大鸣陆方孙恒慧
关键词：掺硼硅散射谱分子束外延
Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究被引量：5
1995年
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
杨宇卢学坤黄大鸣蒋最敏杨敏章怡龚大卫陈祥君胡际璜张翔九赵国庆
关键词：硅锗合金发光材料分子束外延
多孔硅发光稳定性的改进被引量：4
1994年
采用在热ＨＮＯ，中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法，我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用ＳＥＭ和ＦＴＩＲ对其特性进行了研究。
张甫龙侯晓远杨敏黄大鸣王迅
关键词：多孔硅发光稳定性
空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响被引量：6
1994年
发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。
杨敏黄大鸣郝平海张甫龙侯晓远王迅
关键词：多孔硅发光散射谱
快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
1994年
对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．
袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌
关键词：分子束外延快速退火电学性质
SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱被引量：4
1994年
在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确．
黄大鸣杨敏盛篪卢学坤龚大卫张翔九王迅
关键词：SIGE/SI激子
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