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白花珍
作品数:
9
被引量:25
H指数:3
供职机构:
天津大学电子信息工程学院
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发文基金:
天津市自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
化学工程
一般工业技术
电气工程
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合作作者
张之圣
天津大学电子信息工程学院电子信...
胡明
天津大学电子信息工程学院电子信...
王文生
天津大学电子信息工程学院电子信...
陈智勇
天津大学电子信息工程学院
陈金亭
天津大学电子信息工程学院
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文献类型
9篇
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自动化与计算...
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机构
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天津大学
作者
9篇
白花珍
8篇
张之圣
6篇
胡明
2篇
王文生
1篇
王玉东
1篇
陈金亭
1篇
曲远方
1篇
陈智勇
传媒
2篇
宇航材料工艺
2篇
天津大学学报
1篇
电子学报
1篇
中国陶瓷
1篇
电子科技大学...
1篇
电子测量与仪...
1篇
压电与声光
年份
6篇
1999
1篇
1998
2篇
1996
共
9
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BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压
被引量:5
1999年
本文介绍了BaTiO3 陶瓷介质的极化机理,说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外还较全面地阐述了添加剂、粘合剂及它们的用量以及瓷料中针孔的产生。
白花珍
张之圣
胡明
关键词:
陶瓷
击穿
电容器
耐压
钛酸钡陶瓷
InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器
被引量:11
1999年
介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应,讨论了磁阻元件的特性,找到了InSb 磁阻特性曲线的拐点,提出旋转传感器的工作原理与结构设计,研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计.
张之圣
白花珍
陈金亭
陈智勇
王玉东
关键词:
磁阻元件
旋转传感器
半导体
锑化铟
BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压
被引量:1
1999年
介绍了BaTiO3 陶瓷介质的极化机理,说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的.并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺,特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因.此外还阐述了添加剂、粘合剂及其用量以及瓷料中针孔的产生、加工缺陷等对耐压的影响.
白花珍
胡明
曲远方
关键词:
击穿
居里温度
钛酸钡陶瓷
电容器
耐压
非接触型双功能磁敏旋转传感器的研究
被引量:1
1999年
本文报道了一种非接触型双功能碰敏旋转传感器,能同时测量磁性旋转体的旋转速度和旋转方向。它由利用半导体平面工艺在InSb单晶片上制成的桥式连结的InSb电阻和永磁铁构成。分析了旋转传感器的核心敏感元件InSb磁敏电阻及传感器的电路结构、工作原理。对传感器的特性进行了测量,实验结果符合理论设计。
胡明
白花珍
张之圣
关键词:
磁阻效应
锑化铟
磁阻效应及磁敏位置传感器
被引量:3
1996年
本文讨论了磁阻效应原理,介绍了磁敏位置传感器的结构设计,将磁敏电阻的短路条采用人字型结构,将传感器设计成悬臂梁结构,实验表明,传感器的分辨率达0.01°。
张之圣
胡明
刘志刚
王文生
白花珍
王聪修
关键词:
磁阻效应
位置传感器
分辨率
精密角位移传感器及其可靠性研究
1996年
从理论上探讨了磁阻率效应,叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达0.01°,通过可靠性寿命试验,传感器的失效率λ(t)<1×10-7/h。
张之圣
白花珍
王聪修
王文生
关键词:
分辨率
失效率
角位移传感器
CaTiSiO_5-TiO_2系统高频电容器瓷料的研究
被引量:1
1998年
介绍一种以CaTiSiO5TiO2为主晶相的高频热稳定、高频热补偿电容器瓷料。通过调整CaTiSiO5及TiO2的百分含量,选择WO3和ZnO为添加剂,合理控制烧成温度,以适当温度预烧等方法,可得到介电系数高于国家标准,温度系数组别多达10,烧成温度范围达20℃以上,工艺性好、重复性强、成本低的高频电容器瓷料。
白花珍
张之圣
胡明
关键词:
电容器
瓷料
主晶相
介电系数
提高电子陶瓷机械强度的实验研究
被引量:1
1999年
根据实验研究和批量生产实测数据,指出通过改进配方、成型和烧结方法等,能有效地提高陶瓷材料机械强度。这不仅对生产装置瓷具有实际意义,而且对生产结构陶瓷和高压、大功率电子元件用陶瓷以及超大规模集成电路、微波元件基片等有着特殊的意义。
白花珍
张之圣
关键词:
抗弯强度
主晶相
玻璃相
电子陶瓷
强介陶瓷耐压的研究
被引量:3
1999年
介绍了 Ba Ti O3 陶瓷介质的极化机理,指出在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外阐述了添加剂、粘合剂及其用量和瓷料中的针孔的产生、加工缺陷等对耐压的影响。
白花珍
张之圣
胡明
关键词:
陶瓷
极化
居里温度
耐压试验
钛酸钡陶瓷
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