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白花珍

作品数：9 被引量：25H指数：3
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术化学工程一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇陶瓷
  • 3篇电容
  • 3篇电容器
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸钡
  • 3篇钛酸钡陶瓷
  • 3篇耐压
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇锑化铟
  • 2篇主晶相
  • 2篇晶相
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 2篇击穿
  • 2篇分辨率
  • 2篇BATIO
  • 2篇磁阻
  • 2篇磁阻效应

机构

  • 9篇天津大学

作者

  • 9篇白花珍
  • 8篇张之圣
  • 6篇胡明
  • 2篇王文生
  • 1篇王玉东
  • 1篇陈金亭
  • 1篇曲远方
  • 1篇陈智勇

传媒

  • 2篇宇航材料工艺
  • 2篇天津大学学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子测量与仪...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 6篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压被引量：5
1999年
本文介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外还较全面地阐述了添加剂、粘合剂及它们的用量以及瓷料中针孔的产生。
白花珍张之圣胡明
关键词：陶瓷击穿电容器耐压钛酸钡陶瓷
InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器被引量：11
1999年
介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应，讨论了磁阻元件的特性，找到了ＩｎＳｂ 磁阻特性曲线的拐点，提出旋转传感器的工作原理与结构设计，研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计．
张之圣白花珍陈金亭陈智勇王玉东
关键词：磁阻元件旋转传感器半导体锑化铟
BaTiO_3陶瓷的击穿与电容器的耐压被引量：1
1999年
介绍了ＢａＴｉＯ３ 陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的．并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺，特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因．此外还阐述了添加剂、粘合剂及其用量以及瓷料中针孔的产生、加工缺陷等对耐压的影响．
白花珍胡明曲远方
关键词：击穿居里温度钛酸钡陶瓷电容器耐压
非接触型双功能磁敏旋转传感器的研究被引量：1
1999年
本文报道了一种非接触型双功能碰敏旋转传感器，能同时测量磁性旋转体的旋转速度和旋转方向。它由利用半导体平面工艺在ＩｎＳｂ单晶片上制成的桥式连结的ＩｎＳｂ电阻和永磁铁构成。分析了旋转传感器的核心敏感元件ＩｎＳｂ磁敏电阻及传感器的电路结构、工作原理。对传感器的特性进行了测量，实验结果符合理论设计。
胡明白花珍张之圣
关键词：磁阻效应锑化铟
磁阻效应及磁敏位置传感器被引量：3
1996年
本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。
张之圣胡明刘志刚王文生白花珍王聪修
关键词：磁阻效应位置传感器分辨率
精密角位移传感器及其可靠性研究
1996年
从理论上探讨了磁阻率效应，叙述了精密角位移传感器的工作原理及结构设计。传感器的分辨率已达０．０１°，通过可靠性寿命试验，传感器的失效率λ（ｔ）＜１×１０－７／ｈ。
张之圣白花珍王聪修王文生
关键词：分辨率失效率角位移传感器
CaTiSiO_5-TiO_2系统高频电容器瓷料的研究被引量：1
1998年
介绍一种以ＣａＴｉＳｉＯ５ＴｉＯ２为主晶相的高频热稳定、高频热补偿电容器瓷料。通过调整ＣａＴｉＳｉＯ５及ＴｉＯ２的百分含量，选择ＷＯ３和ＺｎＯ为添加剂，合理控制烧成温度，以适当温度预烧等方法，可得到介电系数高于国家标准，温度系数组别多达１０，烧成温度范围达２０℃以上，工艺性好、重复性强、成本低的高频电容器瓷料。
白花珍张之圣胡明
关键词：电容器瓷料主晶相介电系数
提高电子陶瓷机械强度的实验研究被引量：1
1999年
根据实验研究和批量生产实测数据，指出通过改进配方、成型和烧结方法等，能有效地提高陶瓷材料机械强度。这不仅对生产装置瓷具有实际意义，而且对生产结构陶瓷和高压、大功率电子元件用陶瓷以及超大规模集成电路、微波元件基片等有着特殊的意义。
白花珍张之圣
关键词：抗弯强度主晶相玻璃相电子陶瓷
强介陶瓷耐压的研究被引量：3
1999年
介绍了 Ｂａ Ｔｉ Ｏ３ 陶瓷介质的极化机理，指出在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的。并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因。此外阐述了添加剂、粘合剂及其用量和瓷料中的针孔的产生、加工缺陷等对耐压的影响。
白花珍张之圣胡明
关键词：陶瓷极化居里温度耐压试验钛酸钡陶瓷
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