您的位置: 专家智库 > >

吕晓丹

作品数:20 被引量:17H指数:3
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:国际热核聚变实验堆计划贵州省优秀青年科技人才计划更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇核科学技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇动力学
  • 13篇分子
  • 13篇分子动力学
  • 11篇动力学模拟
  • 10篇分子动力学模...
  • 9篇刻蚀
  • 6篇SIC
  • 3篇等离子体
  • 3篇入射能
  • 3篇入射能量
  • 3篇SIF
  • 3篇AR
  • 2篇等离子
  • 2篇低时延
  • 2篇低耦合
  • 2篇电子温度
  • 2篇动力学研究
  • 2篇应用管理
  • 2篇原子
  • 2篇冗余

机构

  • 20篇贵州大学
  • 13篇四川大学
  • 5篇安特卫普大学
  • 3篇教育部
  • 1篇中国核工业集...

作者

  • 20篇吕晓丹
  • 12篇贺平逆
  • 12篇苟富均
  • 11篇赵成利
  • 8篇宁建平
  • 8篇秦尤敏
  • 6篇孙伟中
  • 5篇张浚源
  • 4篇苟富君
  • 4篇陈峰
  • 2篇王鹏
  • 2篇刘华敏
  • 1篇李秦伟
  • 1篇刘玉杰
  • 1篇潘宇东
  • 1篇邓朝勇
  • 1篇张俊源
  • 1篇张利纯

传媒

  • 7篇真空科学与技...
  • 3篇核技术
  • 2篇物理学报
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 4篇2012
  • 7篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇1999
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
分子动力学模拟不同入射能量的SiF_2与SiC的相互作用
2011年
采用分子动力学模拟方法研究了入射能量对SiF2与SiC样品表面相互作用的影响。本次模拟选择的入射初始能量分别为0.3,1,5,10和25 eV。模拟结果显示SiF2分解率与Si和F原子的沉积率有密切的关系。沉积的Si和F原子在SiC表面形成一层SixFy薄膜。随入射能量的增加,薄膜厚度先增加后减小,薄膜中Si-Si键密度增大。构成薄膜的主要成分SiFx(x=1-4)中主要是SiF和SiF2,随入射能量的增加,薄膜成分由SiF2向SiF转变。
赵成利秦尤敏吕晓丹宁建平贺平逆苟富均
关键词:分子动力学分解率
电流对多级弧放电装置中的氩等离子体
2012年
使用PLASIMO模拟了不同外加电流对多级弧放电产生的非热平衡下的氩等离子体特性的影响。在模拟中,腔体两端所加电流分别为30,50,70和90 A;模拟结果表明,在模拟区域内,电子密度呈先增大后减小的趋势,并且随着外加电流的增加,中心轴线上出口处的电子密度、电子温度和重粒子温度均逐渐增大。电子的电导率和电子以及重粒子的热导率也随着外加电流的增加而增大。
张浚源王鹏陈峰孙伟中吕晓丹苟富均
关键词:流体电子密度电子温度
分子动力学方法的模拟参数对结果的影响
2009年
主要研究了利用分子动力学方法(MD)模拟等离子体与材料表面相互作用过程时分子动力学方法的参数对模拟结果的影响。详细分析了Berendsen热浴的应用时间、耦合强度和模拟时间量(单个轨迹的作用时间、弛豫时间)对模拟结果的影响,结果表明,热浴的应用时间对模拟结果的影响很大,而其它参数对模拟结果没有太大的影响。
秦尤敏吕晓丹宁建平张利纯赵成利贺平逆BogaertsA苟富君
关键词:分子动力学弛豫刻蚀
Ar+与氟化的Si样品相互作用机制的研究:分子动力学模拟被引量:4
2010年
采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。
秦尤敏吕晓丹宁建平A.Bogaerts苟富君
关键词:分子动力学刻蚀
入射能量对H2^+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟被引量:1
2011年
用分子动力学方法研究了入射能量对H2+与SiC样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,在H2+轰击SiC样品表面的初始阶段,样品中H原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和。入射能量越大,样品中H原子的滞留量也就越大。样品在H2+的轰击下,样品Si、C原子会发生刻蚀。入射能量越大,Si和C原子的刻蚀量越大。在相同入射能量下,Si原子的刻蚀量大于C原子。生成的产物中,以H,H2和SiH4为主;产物H2的量随着能量的增加而减小。其他产物随着入射能量的增加而增加。
孙伟中赵成利刘华敏张浚源吕晓丹潘宇东苟富均
关键词:分子动力学入射能量刻蚀
一种面向IoT的边缘节点系统体系架构及其工作方法、计算迁移方法
本发明公开一种面向IoT的边缘节点系统体系架构及其工作方法、计算迁移方法。该体系架构由传输优化、设备管理、数据管理、应用管理、资源管理、安全管理以及通信管理等模块组成。传输优化模块接收设备采集的数据,将处理后的数据传输至...
崔允贺邢照庆吕晓丹钱清申国伟郭春
文献传递
基于CPK的ID证书私钥阵列的安全生成及存储容器及其使用方法
本发明公开了一种基于CPK的ID证书私钥阵列的安全生成及存储容器及其使用方法。本发明以硬件部件形式制作的安全生成及存储容器能安全存储组合公钥算法CPK的私钥阵列,通过USB接口或PCI总线接口与计算机或服务器连接,使用对...
李秦伟吕晓丹
文献传递
一种图像压缩算法的探索
随着计算机技术的飞速发展,对图像压缩技术的要求也越来越高.而图像压缩技术虽取得了很大的进展,但始终受庞大的数据量和计算量的困扰.该文深入分析了经典的付里叶变换算法、DCT变换算法以及新的矢量量化算法、DCT变换算法以及新...
吕晓丹
关键词:图像压缩压缩率
一种面向IoT的边缘节点系统体系架构及其工作方法、计算迁移方法
本发明公开一种面向IoT的边缘节点系统体系架构及其工作方法、计算迁移方法。该体系架构由传输优化、设备管理、数据管理、应用管理、资源管理、安全管理以及通信管理等模块组成。传输优化模块接收设备采集的数据,将处理后的数据传输至...
崔允贺邢照庆吕晓丹钱清申国伟郭春
聚变堆中H刻蚀碳氢薄膜的分子动力学模拟被引量:1
2011年
使用分子动力学方法模拟了低能H原子与碳氢薄膜的作用过程,以了解基于核聚变装置中等离子体与C基材料的相互作用机制。模拟中使用REBO(reactive empirical bond order)势函数来描述C-H体系中原子间的相互作用,并使用Berendsen热浴来控制体系的温度。文中着重探讨了入射能量对低能H原子刻蚀碳氢薄膜的影响,入射能量分别为0.3,1,5和10eV。模拟结果显示随着入射能量的增加,H原子的吸附率增加,C原子和H原子的刻蚀率增加。同一能量下H原子比C原子更易发生刻蚀。通过讨论发现在H原子与碳氢薄膜作用过程中,当能量大于1 eV时,由于入射的H原子先沉积在表面并与表面原子发生反应形成碳氢化合物,然后在后续入射粒子的轰击下碳氢化合物在表面发生解吸附现象,从而导致了C原子的刻蚀,因此C原子的刻蚀发生主要是化学增强的物理溅射。
吕晓丹秦尤敏赵成利宁建平贺平逆苟富均
关键词:分子动力学刻蚀
共2页<12>
聚类工具0