郭怀喜
- 作品数：24 被引量：71H指数：5
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 氮化碳薄膜的耐腐蚀性和热稳定性研究被引量：7
- 1998年
- 本文研究了氮化碳薄膜在氢氟酸，氢氟酸加硝酸混和酸中的抗腐蚀作用。研究表明合金钢表面镀氮化碳薄膜之后，能显著降低阳极金属电化学腐蚀电流，使金属表面明显钝化。采用热失重－差热分析方法研究氮化碳薄膜的热稳定性和抗氧化性表明，加热氮化碳薄膜至１２００℃，未见明显热失重和热反应。
- 郭怀喜吴大维何孟兵傅德君张志宏范湘军王国梅
- 关键词：氮化碳耐腐蚀性热稳定性
- 离子束技术和薄膜功能材料研究
- 1997年
- 总结了武汉大学物理系加速器实验室近年来在离子束技术和薄膜功能材料研究方面的主要成果，包括：大型离子束及薄膜研究设备的建造和改进，非晶合金、高温超导、Ｃ６０、β－Ｃ３Ｎ４等多种新型薄膜功能材料的离子束合成和材料改性研究．这是近１０年来薄膜功能材料最前沿的研究课题，这些研究工作具有一定的特色。
- 范湘军彭友贵郭怀喜吴大维李金钗叶明生傅强刘昌孟宪权张志宏
- 关键词：离子注入碳60
- 全文增补中
- 液态Bi－Te和Bi－Se系合金的电阻率与金属－非金属转变被引量：1
- 1995年
- 测量了含Ｔｅ４０％～７０％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｔｅ合金在７００～８５０℃和含Ｓｅ４０％～６５％（ａｔ．）的液态Ｂｉ－Ｓｅ合金在７００～９００℃的电阻率．得到在所述成分范围内，液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属导电性；而对于液态Ｂｉ－Ｓｅ合金，当成分接近Ｂｉ２Ｓｅ３配比时，发生金属－非金属转变．从原子间键合方式和能态特征，解释了液态Ｂｉ－Ｓｅ合金发生金属－非金属转变，而液态Ｂｉ－Ｔｅ合金保持金属性的原因．
- 金准智胡立新邹宪武郭怀喜向梅芝
- 关键词：液态合金电阻率金属非金属铋合金
- 高负载磨损下的氮化碳抗腐蚀研究
- 利用新型超硬材料α-CN的抗腐蚀、耐磨损的特性,将其沉积在制造人工关节的材料钛合金TC4的表面后,再浸没在仿照人体体液中,加上高负载进行磨损实验.通过线性极电阻测试表明:表面沉积了α-CN的TC试样,比起表面未沉积α-C...
- 郭怀喜张志宏桂阳李金钗路险峰蒋昌忠叶明生
- 关键词：人工关节
- 文献传递
- C_3N_4薄膜的结构与性能研究被引量：18
- 1997年
- 用射频等离子体增强化学汽相沉积技术合成Ｃ３Ｎ４薄膜，并采用强迫晶化技术，经透射电子衍射观测，薄膜具有多晶结构．用Ｘ射线光电子能谱测试了Ｃ，Ｎ原子结合能及含氮量．傅里叶变换红外光谱曲线表明薄膜中不含石墨相．测得薄膜的维氏硬度为２９．２—５０．
- 吴大维何孟兵郭怀喜罗海林张志宏傅德君范湘军
- 关键词：C3N4氮化碳
- 氮化碳薄膜的冷阴极电子场发射特性研究
- 采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其结合能的变化情况;10Pa超高真空下对...
- 路险峰李金钗郭怀喜张志宏叶明生
- 关键词：氮化碳薄膜离子注入XPS
- 文献传递
- 反应离化簇团束制备氮化镓薄膜被引量：1
- 1999年
- 根据离化簇团束的基本性质与原理，运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明，已经形成了Ｇａ—Ｎ 化学键，氮、镓原子比接近１∶１，说明反应气体离化簇团技术是一条在较低温度下制备氮化镓薄膜的可行的技术途径．薄膜中含有少量氧化镓，通过多组数据的比较发现，增加氮气的离化率有助于减少薄膜中的氧含量．
- 黄浩孟宪权王琼郭怀喜范湘军
- 关键词：氮化镓
- RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究被引量：2
- 1997年
- 采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（１ｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ２）＝２８４．６～２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ２）＝４００．０～４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ３杂化轨道成键和ｓｐ２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄膜含氮量在１２．０～５３．７％，含氮量随沉积时氮气流量的增大而增大。
- 吴大维张志宏范湘军郭怀喜郭怀喜王国梅
- 关键词：氮化碳XPS超硬材料
- PECVD法氮化硅薄膜的研究被引量：18
- 1997年
- 本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射线光电子能谱测试了β－Ｓｉ３Ｎ４的特性，讨论了它在微电子学中的应用。
- 吴大维范湘军郭怀喜张志宏李世宁
- 关键词：PECVD氮化硅
- 共价固体氮化碳的电弧法制备
- 1994年
- <正>β-C_3N_4是一种首先运用固体量子理论和计算机技术,通过人工设计具有理想成分和结构以及预期优异性能的新材料,Liu和Cohen的理论计算表明:一种晶体结构类似β-Si_3N_4的 C—N化合物具有非常短的共价键(平均键长0.147nm),其体变模量为4.27×10~5MPa,接近金刚石的4.43×10~5MPa。这预示它具有可与金刚石相媲美的硬度。此外,它的结合能计算值 (81.5eV/cell)大于β-Si_3N_4(74.8eV/cell),表明可能存在亚稳态结构。近年来,人们采用了 CH_4和H_2的等离子体分解,C—N—H有机物热解和冲击波压缩等方法,以期合成这种 C—N共价键固体。但是由于C—H和N—H键的稳定性,阻碍了β-C_3N-4的形成。直到1993年,哈佛大学的Niu等人首先用激光蒸发和原子束喷注相结合的方法,成功地获得了这种共价固体氮化碳薄膜。作者尝试采用高纯石墨电极在氮气中电弧放电的方法,代替激光蒸发法,也获得了这种材料。用X光电子能谱(XPS)证实了C—N共价键的生成,用X射线衍射 (XRD)和透射电镜选区电子衍射(TED)检验其结构,和Niu等人的结果基本相符。
- 郭怀喜李爱国张志宏范湘军王仁卉
- 关键词：氮化碳电弧法X光电子能谱
