张志宏
- 作品数：16 被引量：63H指数：5
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信经济管理更多>>
- PECVD法氮化硅薄膜的研究被引量：18
- 1997年
- 本文采用射频等离子体增强化学气相生长法（ＰＥＣＶＤ），在单晶硅衬底上生长氮化硅薄膜，经Ｘ射线衍射测试发现，在（１００）晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为（１０１）晶向的外延生长膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和Ｘ射线光电子能谱测试了β－Ｓｉ３Ｎ４的特性，讨论了它在微电子学中的应用。
- 吴大维范湘军郭怀喜张志宏李世宁
- 关键词：PECVD氮化硅
- 共价固体氮化碳的电弧法制备
- 1994年
- <正>β-C_3N_4是一种首先运用固体量子理论和计算机技术,通过人工设计具有理想成分和结构以及预期优异性能的新材料,Liu和Cohen的理论计算表明:一种晶体结构类似β-Si_3N_4的 C—N化合物具有非常短的共价键(平均键长0.147nm),其体变模量为4.27×10~5MPa,接近金刚石的4.43×10~5MPa。这预示它具有可与金刚石相媲美的硬度。此外,它的结合能计算值 (81.5eV/cell)大于β-Si_3N_4(74.8eV/cell),表明可能存在亚稳态结构。近年来,人们采用了 CH_4和H_2的等离子体分解,C—N—H有机物热解和冲击波压缩等方法,以期合成这种 C—N共价键固体。但是由于C—H和N—H键的稳定性,阻碍了β-C_3N-4的形成。直到1993年,哈佛大学的Niu等人首先用激光蒸发和原子束喷注相结合的方法,成功地获得了这种共价固体氮化碳薄膜。作者尝试采用高纯石墨电极在氮气中电弧放电的方法,代替激光蒸发法,也获得了这种材料。用X光电子能谱(XPS)证实了C—N共价键的生成,用X射线衍射 (XRD)和透射电镜选区电子衍射(TED)检验其结构,和Niu等人的结果基本相符。
- 郭怀喜李爱国张志宏范湘军王仁卉
- 关键词：氮化碳电弧法X光电子能谱
- 氮化碳薄膜离子注入半导体特性研究
- 氮化碳是一种新型超硬材料,国内外多注意其力学性质的研究。理论预言它还是宽带隙的半导体材料,可耐1200℃的高温,具有优良的化学惰性,可作极端条件下的大功率器件。虽然它是间接能隙的半导体材料,但其直接能隙和间接能隙能量很接...
- 郭怀喜张志宏李金钗蒋昌忠叶明生
- 关键词：氮化碳薄膜离子注入
- 文献传递
- 中空阴极磁控溅射法制备氮化碳薄膜的光电子能谱及红外光谱研究
- 用中空阴极磁控溅射的方法,我们制备了氮化碳薄膜。X射线光电子能谱红外光谱研究表明,膜中含有两种相的氮化碳。第一种相对应的结构为CN,碳以sp杂化形式和氮原子化合,而第二种相对应的结构为β-CN,碳原子以sp杂化方式和氮化...
- 张志宏范湘军郭怀喜孟宪权叶明生付强杨业智莫少波
- 关键词：X射线光电子能谱红外光谱
- 文献传递
- 氮化碳薄膜的耐腐蚀性和热稳定性研究被引量：7
- 1998年
- 本文研究了氮化碳薄膜在氢氟酸，氢氟酸加硝酸混和酸中的抗腐蚀作用。研究表明合金钢表面镀氮化碳薄膜之后，能显著降低阳极金属电化学腐蚀电流，使金属表面明显钝化。采用热失重－差热分析方法研究氮化碳薄膜的热稳定性和抗氧化性表明，加热氮化碳薄膜至１２００℃，未见明显热失重和热反应。
- 郭怀喜吴大维何孟兵傅德君张志宏范湘军王国梅
- 关键词：氮化碳耐腐蚀性热稳定性
- 离子束技术和薄膜功能材料研究
- 1997年
- 总结了武汉大学物理系加速器实验室近年来在离子束技术和薄膜功能材料研究方面的主要成果，包括：大型离子束及薄膜研究设备的建造和改进，非晶合金、高温超导、Ｃ６０、β－Ｃ３Ｎ４等多种新型薄膜功能材料的离子束合成和材料改性研究．这是近１０年来薄膜功能材料最前沿的研究课题，这些研究工作具有一定的特色。
- 范湘军彭友贵郭怀喜吴大维李金钗叶明生傅强刘昌孟宪权张志宏
- 关键词：离子注入碳60
- 全文增补中
- 直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜被引量：13
- 1997年
- 采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
- 吴大维张志宏罗海林郭怀喜范湘军
- 关键词：反应磁控溅射
- 氮化碳薄膜的冷阴极电子场发射特性研究
- 采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其结合能的变化情况;10Pa超高真空下对...
- 路险峰李金钗郭怀喜张志宏叶明生
- 关键词：氮化碳薄膜离子注入XPS
- 文献传递
- RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究被引量：2
- 1997年
- 采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（１ｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ２）＝２８４．６～２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ１）＝３９８．０～３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ２）＝４００．０～４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ３杂化轨道成键和ｓｐ２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄膜含氮量在１２．０～５３．７％，含氮量随沉积时氮气流量的增大而增大。
- 吴大维张志宏范湘军郭怀喜郭怀喜王国梅
- 关键词：氮化碳XPS超硬材料
- 氮化碳薄膜的红外吸收光谱(FTIR)研究被引量：7
- 1997年
- 测量了采用ＲＦ－ＣＶＤ方法制备的氮化碳薄膜的ＦＴＩＲ曲线，膜层中的Ｃ—Ｎ键、石墨相、ＣＮ键和ＣＮ键的红外吸收峰波数分别为１２５０ｃｍ－１，１５７６ｃｍ－１，１６８７ｃｍ－１和２０５４ｃｍ－１．采用技术措施避免石墨相析出的氮化碳薄膜，其红外吸收谱只出现了Ｃ—Ｎ键的伸缩振动吸收峰（９４８ｃｍ－１）．薄膜中的其它功能基团的存在对Ｃ—Ｎ键的振动频率有一定的影响．
- 彭友贵傅强叶明生张志宏吴大维王国梅
- 关键词：红外吸收光谱超硬材料氮化碳薄膜
