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陈一峰

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇SIC
  • 1篇气相沉积
  • 1篇晶须
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇健康监测
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇SIC晶须
  • 1篇VLS
  • 1篇6H-SIC

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇陈一峰
  • 3篇刘兴钊
  • 2篇邓新武
  • 1篇张万里
  • 1篇李言荣
  • 1篇陈寅之
  • 1篇蒋洪川

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 3篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究
2010年
碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜。结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶。为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜。
陈一峰刘兴钊邓新武
VLS机制生长SiC晶须研究被引量:2
2010年
采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH_4、SiH_4为反应气体,H_2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。
陈一峰刘兴钊邓新武
关键词:SIC化学气相沉积晶须
结构/功能一体化集成薄膜材料
为了满足恶劣环境下金属结构件的健康监测需要,本论文采用表面工程技术,在金属结构件表面依次沉积由粘接层、绝缘层、敏感层、防护层等组成的集成敏感薄膜,在不破坏金属结构件力学性能的前提下,实现结构与功能的一体化集成,使金属结构...
刘兴钊蒋洪川陈一峰陈寅之张万里李言荣
关键词:健康监测
共1页<1>
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