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雷双英

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带间跃迁
  • 1篇跃迁
  • 1篇双量子阱
  • 1篇中子
  • 1篇量子
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇XGA
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇沈波
  • 1篇许福军
  • 1篇杨志坚
  • 1篇张国义
  • 1篇雷双英
  • 1篇徐柯

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响(英文)被引量：1
2006年
用自洽计算的方法研究了极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱具有不对称的导带和价带.极化效应还会使奇数序和偶数序的子带之间发生很大的Stark平移,从而使第一奇数序和第二偶数序子带之间的跃迁波长变短,这将有利于实现工作在通信窗口的光电子器件.同时,由于导带分布的不对称性,电子分布也不对称,从而会影响吸收系数.
雷双英沈波许福军杨志坚徐柯张国义
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