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靳彩霞

作品数：12 被引量：12H指数：2
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 6篇分子束
  • 6篇ZN
  • 6篇X
  • 5篇分子束外延
  • 4篇晶格
  • 4篇合金
  • 4篇半导体
  • 4篇超晶格
  • 3篇砷化镓
  • 3篇光谱
  • 3篇衬底
  • 2篇应变超晶格
  • 2篇化合物
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇光谱研究
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇XS

机构

  • 12篇复旦大学
  • 3篇长沙电力学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇理化学研究所

作者

  • 12篇靳彩霞
  • 11篇王杰
  • 7篇凌震
  • 6篇王东红
  • 6篇俞根才
  • 6篇黄大鸣
  • 4篇沈孝良
  • 3篇史向华
  • 3篇侯晓远
  • 2篇刘晓晗
  • 2篇魏彦锋
  • 1篇陆卫
  • 1篇柯炼
  • 1篇柯练
  • 1篇王迅
  • 1篇诸长生
  • 1篇姚文华
  • 1篇陈张海
  • 1篇赵国珍
  • 1篇魏彦峰

传媒

  • 7篇Journa...
  • 2篇光散射学报
  • 1篇物理
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 4篇1998
  • 5篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄
1996年
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）的组分．
靳彩霞凌震诸长生俞根才王杰赵国珍
关键词：四元合金ZNMGSSE化合物半导体
Zn_(1-x)Mg_xSe外延半导体合金薄膜的红外反射光谱研究
1997年
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｅ（０≤ｘ≤１）三元半导体合金薄膜．在室温下测量了这些样品的红外反射光谱．采用介电函数的经典色散理论，并且考虑衬底的影响后，计算了样品的红外反射光谱并与测量结果作了比较．我们发现对于ｘ＜０．２，０．２＜ｘ＜０．５和ｘ≥０．５三种不同情形，反射光谱表现出不同的结构．
王东红黄大鸣魏彦锋靳彩霞王杰陈张海陆卫
GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究被引量：1
1997年
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究．通过对其光学声子频率随x的变化研究发现，ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性．其中，ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化．用改进了的随机元等位移（MREI）模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系，并与测量结果作了比较，理论和实验符合很好．
靳彩霞王东红凌震俞根才王杰黄大鸣侯晓远沈孝良姚文华
关键词：砷化镓衬底分子束外延合金
GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性被引量：1
1998年
在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大。
凌震靳彩霞俞根才王杰沈孝良张保平
关键词：砷化镓
Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究被引量：1
1998年
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，自由激子峰位向低能方向红移２ｍｅＶ；当超晶格总厚度小于其临界厚度时，自由激子峰位向高能方向蓝移６ｍｅＶ。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动，理论和实验符合很好。
靳彩霞史向华柯炼张保平凌晨余更才王杰候晓远
关键词：X射线衍射谱光致发光性质
实现Ⅱ-Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径被引量：6
1997年
介绍了一种以Ｂｅ的Ⅵ族化合物ＢｅＭｇＺｎＳｅ与ＺｎＳｅ组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点。
靳彩霞王迅
关键词：半导体激光器铍
S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究被引量：3
1998年
用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的晶体质量，因此Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的效果明显优于（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液．
史向华靳彩霞凌震俞根才王杰侯晓远
关键词：硒化锌砷化镓衬底
外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究
1995年
外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅＡｌｌｏｙｓＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒ...
黄大鸣王杰刘晓晗王东红靳彩霞郑玉祥
关键词：三元合金
应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
1998年
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．
史向华柯练靳彩霞魏彦峰魏彦峰俞根才凌震
关键词：应变层超晶格光致发光谱
Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究
1996年
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。
王东红黄大鸣靳彩霞刘晓晗凌震王杰
关键词：拉曼散射光谱ZNMGSSE分子束外延
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