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马坤华: 作品数：11 被引量：0H指数：0; 供职机构：电子科技大学更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

合作作者

尹江龙电子科技大学
赵子奇电子科技大学
于奇电子科技大学
张新川电子科技大学
杜江锋电子科技大学

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

8篇专利
2篇会议论文
1篇学位论文

领域

4篇电子电信

主题

9篇晶体管
8篇肖特基
8篇肖特基接触
7篇氮化镓
7篇势垒
5篇异质结
5篇异质结场效应...
5篇场效应
5篇场效应晶体管
4篇电子迁移率
4篇欧姆接触
4篇迁移率
4篇铝镓氮
4篇高电子迁移率
4篇高电子迁移率...
2篇载流子
2篇载流子输运
2篇势垒层
2篇铟镓氮
2篇泄漏电流

机构

11篇电子科技大学

作者

11篇马坤华
10篇赵子奇
10篇尹江龙
9篇于奇
8篇杜江锋
8篇张新川
4篇罗谦
2篇杜江峰

传媒

2篇四川省电子学...

年份

2篇2016
3篇2014
1篇2013
5篇2012

共 11 条记录，以下是 1-10

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排序方式：

背势垒缓冲层AlGaN/GaNHEMT耐压机理和新结构: GaN材料具有禁带宽度宽、击穿电场大以及电子饱和速度高等优良的物理特性，并且在AlGaN/GaN异质结界面处会形成高浓度、高电子迁移率的2DEG。这就使得GaN材料非常适合于功率电子器件方面的应用。但是GaN电子器件中背...; 马坤华; 关键词：GAN材料泄漏电流

一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管: 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...; 杜江锋尹江龙马坤华张新川赵子奇于奇; 文献传递

具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN/GaN HEMTs器件研究: 对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特...; 尹江龙杜江锋马坤华张新川赵子奇于奇; 关键词：高电子迁移率晶体管击穿电压; 文献传递

一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管: 本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...; 杜江峰赵子奇尹江龙张新川马坤华罗谦于奇

一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管: 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...; 杜江锋赵子奇马坤华尹江龙张新川罗谦于奇; 文献传递

一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管: 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。该晶体管包含衬底（108），氮化铝成核层（107），氮化镓沟道层（201），氮化铝插入层（105），铝镓氮势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101...; 杜江锋赵子奇马坤华尹江龙于奇; 文献传递

一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管: 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...; 杜江锋尹江龙马坤华张新川赵子奇于奇; 文献传递

一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管: 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...; 杜江锋赵子奇马坤华尹江龙张新川罗谦于奇; 文献传递

一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管: 本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...; 杜江峰赵子奇尹江龙张新川马坤华罗谦于奇; 文献传递

一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管: 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。该晶体管包含衬底（108），氮化铝成核层（107），氮化镓沟道层（201），氮化铝插入层（105），铝镓氮势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101...; 杜江锋赵子奇马坤华尹江龙于奇

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