尹江龙
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
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- 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。该晶体管包含衬底（108），氮化铝成核层（107），氮化镓沟道层（201），氮化铝插入层（105），铝镓氮势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101...
- 杜江锋赵子奇马坤华尹江龙于奇
- 文献传递
- 一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...
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- 一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化...
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- 具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN/GaN HEMTs器件研究
- 对具有pn结复合缓冲层的AlGaN/GaN HEMT器件进行了仿真研究.首先,对pn结复合缓冲层减小泄漏电流的原理进行了说明.其次,对Lgd=6μm的AlGaN/GaN HEMT器件的特性进行了分析,包括输出特性、转移特...
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- 关键词：高电子迁移率晶体管击穿电压
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- 一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...
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- 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...
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- 一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...
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- 一种用于电源管理的高性能电荷泵被引量：2
- 2012年
- 设计了一种用于电源管理的高性能交叉耦合电荷泵。与传统的Dickson电荷泵相比,该电荷泵不受阈值压降影响,电压输入范围大;同时,开关管采用最大过驱动电压,极大地减小了传导损耗。HSPICE仿真结果表明,当输入电压为5V、时钟频率为50 MHz时,最大效率达到96.3%,在空载条件下,升压效率高达99%。负载电流在10～120μA范围内,输出电压只有1.55V的变化,具备较强的电流驱动能力。
- 郑志威张新川尹江龙于奇宁宁王向展
- 关键词：电源管理
- 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...
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- 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。该晶体管包含衬底（108），氮化铝成核层（107），氮化镓沟道层（201），氮化铝插入层（105），铝镓氮势垒层（104）以及势垒层上形成的源极（101...
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