高鸿楷
- 作品数：45 被引量：85H指数：6
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
- 1995年
- 本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌高鸿楷龚平王海滨
- 关键词：砷化镓外延层MOCVD温度
- 高效太阳能电池研究
- 高鸿楷赛小锋何益民李宝霞李辉
- InGaP/GaAs/Ge级联电池保留了其它电池的全部优点，具有转换效率高，功率/面积比大，耐辐照，重量轻，机械强度好等优点，是一种在太空中使用的比较理想的太阳电池。该项目研制的级联电池将吸收不同波段的光的单结电池通过底...
- 关键词：
- 关键词：太阳能电池
- MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究被引量：1
- 1993年
- 应用常压 MOCVD 装置制备了透射式 GaAs 光电阴极材料。p 型 GaAs 发射层掺杂浓度为10(?)～10^(19)cm^(-3),少子扩散长度为4.02μm。Al_xGa_(1-x)As 层的铝组份含量达0.83光谱吸收波长范围与设计值基本符合。用此方法生成的材料进行了阴极激活实验,制成了透射式 GaAs 光电阴极。
- 高鸿楷张济康云峰
- 关键词：砷化镓光电阴极MOCVD
- GaAs／Ge的MOCVD生长研究被引量：5
- 1996年
- 用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽达１６弧秒。１０Ｋ下ＰＬ谱半峰宽为７ｍｅＶ．讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和ＧａＡｓ－Ｇｅ界面的Ｇａ、Ｇｅ原子互扩散问题。
- 高鸿楷赵星何益民杨青朱李安
- 关键词：MOCVD砷化镓
- NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
- 1996年
- 本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
- 张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
- 关键词：光电阴极砷化镓
- 高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用被引量：1
- 1997年
- 用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同．本文以GaAS／AlGaAs为例，展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲、微观倾斜、组分梯度、应变、弛豫以及平行于界面的连续性等问题．所得结果同样适用于其它半导体材料．
- 朱李安高鸿楷何益民贺丽赛小锋侯洵
- 关键词：X射线衍射仪倒易空间半导体晶体
- 负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究
- 1998年
- 本文采用在超高真空系统中引入少量Ａｒ气及在激活到最高灵敏度时维持一定Ｃｓ蒸气压的方法，改进了激活系统的环境气氛，使阴极在台内的寿命得到极大地延长，为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。
- 米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵
- 关键词：光电阴极稳定性砷化镓
- 一种新型砷化镓抛光工艺的研究
- 1989年
- 在半导体制造工艺中,首先要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面.半导体晶片的抛光,国际上主要采用化学机械混合同时抛光.该种方法抛光的晶片,表面平整度、光洁度好,机械损伤小.据报道,目前用于砷化镓材料的抛光液配方已有一些,但都不理想.例:2Br-98CH_3OH抛光液,该抛光液存在抛光质量不稳定,有老化现象,毒性大;
- 刘苏平张国琦高鸿楷张济康
- 关键词：砷化镓抛光晶片
- 全文增补中
- 透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析被引量：1
- 2002年
- 研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。
- 李晓峰张景文高鸿楷侯洵
- 关键词：GAASALGAAS光电阴极镓铝砷化合物
- 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究
- 2002年
- 利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga
- 李晓峰张景文高鸿楷侯洵
- 关键词：ALGAASX射线衍射光电阴极镓铝砷化合物摇摆曲线
