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何益民

作品数:12 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 3篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 6篇砷化镓
  • 3篇液相外延
  • 2篇电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇高效太阳能电...
  • 2篇光电
  • 2篇光电阴极
  • 2篇光阴极
  • 2篇GAAS/G...
  • 2篇GAAS光电...
  • 2篇MOCVD
  • 2篇GAAS
  • 1篇倒易空间
  • 1篇电子亲合势
  • 1篇衍射仪
  • 1篇液相外延生长
  • 1篇异质结
  • 1篇射线
  • 1篇锑化镓

机构

  • 12篇中国科学院
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 12篇何益民
  • 11篇高鸿楷
  • 7篇侯洵
  • 5篇朱李安
  • 4篇张冰阳
  • 4篇赛小锋
  • 2篇李辉
  • 2篇张济康
  • 2篇李宝霞
  • 2篇赵星
  • 2篇赛小峰
  • 1篇张书明
  • 1篇张景文
  • 1篇杨青
  • 1篇米侃
  • 1篇赵家龙
  • 1篇孙长印
  • 1篇贺丽
  • 1篇姚烈
  • 1篇江福明

传媒

  • 6篇光子学报
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1993
  • 2篇1992
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs/Ge的MOCVD生长研究被引量:5
1996年
用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和6e的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒。10K下PL谱半峰宽为7meV.讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和GaAs-Ge界面的Ga、Ge原子互扩散问题。
高鸿楷赵星何益民杨青朱李安
关键词:MOCVD砷化镓
负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究
1998年
本文采用在超高真空系统中引入少量Ar气及在激活到最高灵敏度时维持一定Cs蒸气压的方法,改进了激活系统的环境气氛,使阴极在台内的寿命得到极大地延长,为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。
米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵
关键词:光电阴极稳定性砷化镓
高效太阳能电池研究
高鸿楷赛小锋何益民李宝霞李辉
InGaP/GaAs/Ge级联电池保留了其它电池的全部优点,具有转换效率高,功率/面积比大,耐辐照,重量轻,机械强度好等优点,是一种在太空中使用的比较理想的太阳电池。该项目研制的级联电池将吸收不同波段的光的单结电池通过底...
关键词:
关键词:太阳能电池
GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究
1992年
本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。
张冰阳何益民李朱安张济康高鸿楷侯洵
关键词:光阴极液相外延砷化镓
NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
1996年
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
张书明孙长印朱李安赛小峰程昭何益民高鸿楷侯洵
关键词:光电阴极砷化镓
GaAs光阴极材料的液相外延被引量:2
1992年
利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。
张冰阳何益民朱李安张济康高鸿楷侯洵
关键词:砷化镓光阴极
富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长
1993年
本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_(1……x)Sb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液相外延生长出了优良的AlGaSb外延层。
张冰阳何益民朱李安侯洵
关键词:异质结液相外延生长锑化镓
InGaP/GaAs/Ge高效太阳能电池研究
赛小锋高鸿楷何益民李宝霞李辉
InGaP/GaAs/Ge级联电池保留了其它电池的全部优点,具有转换效率高,功率/面积比大,耐辐照,重量轻,机械强度好等优点,是一种在太空中使用的比较理想的太阳电池。该项目研制的级联电池将吸收不同波段的光的单结电池通过底...
关键词:
关键词:太阳能电池光伏效应
MOCVD法异质外延GaP/Si薄膜的研究
1993年
微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性。
高瑛刘学彦赵家龙苏锡安高鸿楷赵星龚平何益民
关键词:MOCVD法结构特性
高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用被引量:1
1997年
用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一.不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同.本文以GaAS/AlGaAs为例,展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲、微观倾斜、组分梯度、应变、弛豫以及平行于界面的连续性等问题.所得结果同样适用于其它半导体材料.
朱李安高鸿楷何益民贺丽赛小锋侯洵
关键词:X射线衍射仪倒易空间半导体晶体
共2页<12>
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