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黄书涛

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中南大学资源加工与生物工程学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇光致
  • 2篇发光
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性能
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇多孔硅
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光性能
  • 1篇AL
  • 1篇表面钝化

机构

  • 2篇中南大学

作者

  • 2篇张铭婉
  • 2篇宋晓岚
  • 2篇喻振兴
  • 2篇张颖
  • 2篇黄书涛
  • 1篇耿柏杨
  • 1篇蒙让彬
  • 1篇钟一顺
  • 1篇杨屹朝

传媒

  • 1篇中南大学学报...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
永冲电化学腐蚀制备n型多孔硅及其发光性能
2013年
采用脉冲电化学腐蚀法，以n型单晶硅为衬底制备多孔硅（n—PS），通过扫描电镜（SEM）、室温500—700nm范围内荧光光谱，系统研究腐蚀时间、占空比和脉冲频率对n-PS的结构形貌和可见光区室温光致发光特性（PL）的影响，结果表明，相比直流电化学腐蚀方法，脉冲腐蚀能获得孔径分布均匀且发光强度更高的多孔硅；随腐蚀时间、占空比和脉冲频率等腐蚀条件的变化，其发光峰位及发光强度均有明显改变；当等效腐蚀时间为30min、占空比为0．5、脉冲频率为10Hz时，制备的n—PS的PL强度较高，发光性能较好。
宋晓岚张颖黄书涛耿柏杨蒙让彬张铭婉杨屹朝钟一顺喻振兴
关键词：多孔硅光致发光
Al沉积n型多孔硅表面钝化及其发光性能
2013年
采用电化学沉积Al方法钝化用脉冲电化学腐蚀制备的n型多孔硅(n-type porous silicon,n-PS)表面以改善其发光性能和稳定性。通过扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)及在室温于500~700 nm范围内荧光光谱研究n-PS表面Al钝化后的表面结构、形貌及光致发光性能(PL),探讨Al在n-PS表面的钝化作用,并通过改变电压和时间研究钝化条件对PL性能的影响。研究结果表明:多孔硅经Al钝化后其表面结构显得更加致密均匀;与钝化前相比,其发光强度加强,约为钝化前的2倍,且分别在钝化电压为18 V及钝化时间为60 min或钝化电压为25 V及钝化时间为30 min左右时,其发光强度较高。
宋晓岚张颖黄书涛张铭婉喻振兴
关键词：表面钝化光致发光性能
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