丁志博
- 作品数：12 被引量：38H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料
- 本文系统综述了用离子束技术实现稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的研究的进展和现状。离子束注入是优选的构建和调控方法,测试结果表明在GaN、ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni、Co等过渡金属离子可以得到低温...
- 姚淑德丁志博王坤陈迪法涛陈田祥
- 关键词：纳米磁性材料
- 文献传递
- 带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
- 2006年
- 利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AlN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS<0001>沟道谱可知,该外延膜具有良好的结晶品质,χmin=2.5%。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量,可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β=1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(101-5)衍射面的θ-2θ扫描,可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02%和0.69%±0.09%。通过对{101-0}面内非对称<12-13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变eT在近表面处为0.35%±0.02%。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e∥>0)、在垂直方向具有压应力(e⊥<0),印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的,通过对不同深度的四方畸变计算可知,AlN插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比AlN层上面的GaN层弹性应变释放快,说明AlN层的插入缓解了应变释放速度。
- 侯利娜姚淑德周生强赵强王坤丁志博王建峰
- 关键词：GAN高分辨X射线衍射
- 氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为被引量：1
- 2008年
- 用卢瑟福背散射/沟道技术研究了p-GaN上的Ni/Au电极在氧气氛下相同合金温度(500℃)不同合金时间后的微结构演化,以揭示欧姆接触的形成机制.利用背散射随机谱和RUMP模拟程序研究了电极金属之间的互扩散,用沟道谱探测了电极金属中的氧分布.结合不同合金时间下比接触电阻ρc的变化,发现随着合金时间的延长比接触电阻持续降低,在合金时间60s后降低的速度减慢,Au扩散到GaN的表面,在p-GaN上形成外延结构,O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用,表明合金后Ni/Au双层电极中层反转效应已经发生,这种结构变化是形成欧姆接触的有效机制.在相同合金温度(500℃)不同合金时间中,氧气氛中的p-GaN/Ni/Au电极在合金时间为300s时形成的欧姆接触效果最佳.
- 丁志博王坤陈田祥陈迪姚淑德
- 关键词：GAN欧姆接触
- 用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变被引量：4
- 2006年
- 利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0·9Mg0·1O/ZnO异质结进行了组分分析,并得到了异质结弹性应变随深度的变化,应变由界面向表面逐渐释放,并由负变正,且在ZnO与Zn0·9Mg0·1O界面处轻微增大.负的应变是由于ZnO与衬底的晶格失配和热失配,而逐渐变为正值是Zn0·9Mg0·1O与ZnO的晶格常数差异及弹性应变的逐渐释放所致.
- 王坤姚淑德侯利娜丁志博袁洪涛杜小龙薛其坤
- 关键词：异质结ZNMGO
- Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较被引量：5
- 2006年
- 采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0·49%变为-0·16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长.
- 王坤姚淑德丁志博朱俊杰傅竹西
- 关键词：高分辨X射线衍射
- 用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料被引量：1
- 2010年
- 综述用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的进展和现状。离子束注入是优选的构建和调控方法,测试结果表明在GaN和ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni和Co等过渡金属离子可得到低温和室温下的铁磁性。离子束分析技术给出这些新材料薄膜的微结构信息,透射电镜下观察到过饱和剂量Mn+注入GaN形成的纳米磁性颗粒。
- 姚淑德丁志博王坤陈迪法涛陈田祥
- 关键词：纳米磁性材料
- Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析被引量：13
- 2006年
- 利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为χmin=1·54%,已达到完美晶体的结晶品质(χmin=1%—2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0·31903nm,cepi=0·51837nm,基本达到GaN单晶的理论晶格常数(a0=0·3189nm,c0=0·5186nm);通过计算GaN外延膜及各缓冲层的水平应变、垂直应变和四方畸变沿深度的变化,可得出弹性应变由衬底及各缓冲层向表面逐渐释放,并由拉应变转为压应变,最后在GaN外延层应变基本达到完全释放(eT=0).
- 丁志博姚淑德王坤程凯
- 关键词：GAN高分辨X射线衍射
- 80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁学改性和注入剂量的影响研究
- 稀磁半导体的研究是当前材料科学研究的一个热点。本文表明用Ni+和Mn+离子注入ZnO半导体可以具有铁磁性。Ni、Mn离子注入能量为80keV,剂量为8×1014～7×1016/cm2,注入后样品在02气氛中700℃快速退...
- 姚淑德王坤丁志博陈迪陈田祥
- 文献传递
- InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算被引量：16
- 2007年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195nm,cepi=0.5198nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.
- 丁志博王琦王坤王欢陈田祥张国义姚淑德
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱高分辨X射线衍射光致发光
- 核分析技术在新型光电材料的纳米微结构研究中的新应用
- 新型光电材料GaN、ZnO、SiC等及其衍生物具有很多优良特性,因而有非常广阔的重要的应用前景, 十几年来在国内外材料界的研究异常兴旺,备受关注;但是对这些新材料的性质和应用的研究远比对材料结构的研究重视和深入得多。面对...
- 姚淑德王坤丁志博王欢陈田祥华伟张斌马宏骥聂锐
- 文献传递
