侯利娜
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院海外杰出学者基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变被引量：4
- 2006年
- 利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0·9Mg0·1O/ZnO异质结进行了组分分析,并得到了异质结弹性应变随深度的变化,应变由界面向表面逐渐释放,并由负变正,且在ZnO与Zn0·9Mg0·1O界面处轻微增大.负的应变是由于ZnO与衬底的晶格失配和热失配,而逐渐变为正值是Zn0·9Mg0·1O与ZnO的晶格常数差异及弹性应变的逐渐释放所致.
- 王坤姚淑德侯利娜丁志博袁洪涛杜小龙薛其坤
- 关键词：异质结ZNMGO
- Mn<'+>离子注入GaN磁学改性及GaN基材料结构研究
- Ⅲ-Ⅴ族GaN基化合物半导体己被广泛应用在高速电子器件及光学器件中，如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)。在传统的Ⅲ-Ⅴ族非磁材料中引入磁性离子，使其具有磁性，甚至是铁磁性，成为人们关注的焦点。虽然目前已经有很...
- 侯利娜
- 关键词：铁磁性
- 不同离子束注入GaN改变光学、电学和磁学特性的研究
- ＜正＞GaN和由其衍生出的多种Ⅲ族氮化物都是直接跃迁型的宽带隙材料,禁带宽度可在1.9-6.2eV之间连续调节,能量范围覆盖了从可见光到紫外的波段,且发光效率高,是当前国内外半导体材料研究的重点。GaN基材料有非常广泛的...
- 姚淑德侯利娜周生强
- 文献传递
- 带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
- 2006年
- 利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AlN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。从RBS<0001>沟道谱可知,该外延膜具有良好的结晶品质,χmin=2.5%。利用不同方位角上XRD摇摆曲线测量,可得出GaN(0001)面与Si(111)面之间的夹角β=1.379°。通过对GaN(0002)和GaN(101-5)衍射面的θ-2θ扫描,可以得出GaN外延膜在垂直方向和水平方向的平均弹性应变分别为-0.10%±0.02%和0.69%±0.09%。通过对{101-0}面内非对称<12-13>轴RBS角扫描可得出由弹性应变引起的四方畸变eT在近表面处为0.35%±0.02%。外延膜弹性性质表明GaN膜在水平方向具有张应力(e∥>0)、在垂直方向具有压应力(e⊥<0),印证了XRD的结果。四方畸变是深度敏感的,通过对不同深度的四方畸变计算可知,AlN插入层下面的GaN外延膜弹性应变释放速度比AlN层上面的GaN层弹性应变释放快,说明AlN层的插入缓解了应变释放速度。
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- 关键词：GAN高分辨X射线衍射
- Mg^+注入对GaN晶体辐射损伤的研究被引量：3
- 2006年
- 在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)方法外延生长的GaN薄膜具有良好的结晶品质,χmin达到2·00%.结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling,RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction,HXRD)的实验测量,研究了不同剂量和不同角度Mg+注入GaN所造成的辐射损伤.实验结果表明,随注入剂量的增大,晶体的辐射损伤也增大,注入剂量在1×1015atom/cm2以下,χmin小于4·78%,1×1016atom/cm2是Mg+注入GaN的剂量阈值,超过这个阈值,结晶品质急剧变差,χmin达到29·5%;随机注入比沟道注入的辐射损伤大,且在一定范围内随注入角度的增大,损伤也增大,在4×1015atom/cm2剂量下偏离〈0001〉沟道0°,4°,6°,9°时的χmin(%)分别为6·28,8·46,10·06,10·85;经过700℃/10min+1050℃/20s两步退火和1000℃/30s高温快速退火后,晶体的辐射损伤都有一定程度的恢复,而且1000℃/30s高温快速退火的效果更好,晶体的辐射损伤可以得到更好的恢复.
- 蒙康姜森林侯利娜李蝉王坤丁志博姚淑德
- 关键词：GAN高分辨X射线衍射
- 核分析技术在新型光电材料Ⅲ族氮化物研究中的新应用
- 氮化镓(GaN)及其三元化合物半导体(AlGaN、InGaN等)是近些年迅速发展的新型光电材料,正广泛应用在全波段发光器件、短波长激光器及紫外探测器等领域,但是迄今人们对其结构特征及对物理性质的影响研究的很不充分:在三元...
- 姚淑德侯利娜周生强马宏骥吴名枋
- 文献传递
- 几种特殊的离子束分析法测定CVD金刚石膜中的杂质
- 金刚石具有非常优异的物理性能,如有最高的硬度、室温下最高的热导率、极小的热膨胀系数、全波段高光学透过率、声传播速度快、介电性能好、掺杂后具有半导体性质、并有极佳的化学稳定性.上述特性使其在机械、电子、化学、声学及国防等诸...
- 姚淑德孙婵娟侯利娜马宏骥聂锐
- 关键词：离子束金刚石膜介电性
- 文献传递
- Si衬底上带有AIN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
- ＜正＞通常GaN、InGaN和AlGaN外延膜是用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上生长的,近来在Si（111）上生长GaN越来越受到人们的重视。高质量大尺寸硅片容易生成并且价格便宜,更重要一点是,在硅...
- 侯利娜姚淑德周生强赵强
- 关键词：GAN高分辨X射线衍射
- 文献传递
- 用RBS/Channeling和XRD方法研究Mg+注入GaN的辐照损伤
- ＜正＞新型光电材料GaN的p型掺杂是困惑材料生长者的极重要的问题,比较适用的掺杂元素为Ⅱ族的Be、Mg、Ca等,其中Mg的激活能最低,为170meV（其它元素均在230meV以上）,所以实验中选取Mg+作为掺杂改性,同时...
- 姚淑德侯利娜李蝉赵强
- 具有纳米氧化层的磁性隧道结的热稳定性研究被引量：1
- 2005年
- 研究发现在磁隧道结的反铁磁层和被钉扎铁磁层之间插入一层纳米氧化层,可以使磁隧道结的退火温度增加了40℃,即明显地提高了磁隧道结的温度稳定性.通过卢瑟福背散射实验直接观察到产生这一效应的原因是该纳米氧化层有效地抑制了Mn元素在退火过程中的扩散,从而使TMR值在较高的退火温度下得以保持.
- 冯玉清侯利娜朱涛姚淑德詹文山
- 关键词：磁性隧道结隧穿磁电阻热稳定性磁隧道结退火过程散射实验
